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公开了一种用于在施加的ＤＣ电场下、在宽频率和温度范围的聚合物特征化的测试结构。高电阻率硅衬底（４０）由粘合层（３０）覆盖。聚合物薄膜（２０）淀积于图案化金属层１之上，该金属层１淀积于粘合层之上。在聚合物薄膜上淀积顶部金属层２并图案化以形成Ｃ...
该专利属于代顿大学所有，仅供学习研究参考，未经过代顿大学授权不得商用。

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