使用于晶粒封装的防翘曲用的PTFE片以及晶粒封装方法技术

本发明专利技术是一种对直径为1μm以下的PTFE纤维进行纺织而成的PTFE片(44)，PTFE片中，哥雷值为1～3的范围，加热至300℃时的与片缠绕方向正交的方向上的收缩率为10％以下，当将晶粒(100)封装至被封装体(110)时夹于对晶粒(100)进行加热的工具(22)与所述晶粒(100)之间而可利用工具(22)来吸附晶粒(100)，并且抑制将晶粒(100)固定于被封装体(110)的粘接构件(114)附着在工具(22)的吸附面(24)或晶粒(100)。由此，提供一种可实现真空吸附的稳定化及维护性的改善的PTFE片及晶粒封装方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】使用于晶粒封装的防翘曲用的PTFE片以及晶粒封装方法
本专利技术涉及一种使用于晶粒封装的防翘曲用的聚四氟乙烯片及晶粒封装方法。
技术介绍
已知有通过真空吸附来拾取通过切割而单片化的多个晶粒(die)的技术(参照专利文献1～专利文献3)。例如，在专利文献2中，已公开对在端子上设置有凸块的裸芯片(barechip)，在与包含所述端子及凸块的裸芯片的电路功能面为相反的面侧进行真空吸附。真空吸附于工具的裸芯片是在使电路功能面与基板相向的方向上，搭载在涂布有粘接剂的基板上。在专利文献2的专利技术中，为了防止通过真空吸附或工具的加压等而使基板上的粘接剂自裸芯片的侧面向上方翘曲，采用使片介于工具的吸附面与裸芯片之间的结构，由此，抑制粘接剂的翘曲，防止粘接剂附着在工具。此外，在专利文献3中，记载有一种经由具有透气性的多孔胶带(tape)而吸附半导体芯片的技术。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利特开2006-66625号公报专利文献2：日本专利第5669137号公报专利文献3：日本专利特开平3-201458号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的问题此处，专利文献2的专利技术是以在电路功能面上真空吸附裸芯片为前提，对于在形成有凸块电极的凸块形成面侧进行真空吸附则未作任何考虑。关于这一点，在凸块形成面上，通过凸块电极而设置有凹凸，因此当使工具真空吸附晶粒时，可能因凸块电极的突起高度而在工具吸附面与晶粒之间产生空隙。因此，当真空吸附有晶粒时，通过产生空气的泄漏，真空度下降，而存在工具的吸附性变差的情况。另外，当将晶粒经由粘接材料而封装至基板时，有时会自粘接材料产生烟气(fumegas)，所述烟气自因凸块电极的突起高度而产生的空隙流入，使工具等受到污染。因此，必须频繁地清洗工具等，存在维护性变差的情况。此外，在专利文献3中，记载有一种使用海绵、纸、合成橡胶等作为多孔胶带的材料，但是这些材料由于不耐热而会产生收缩、熔融、变形，因此不适合于利用工具来将晶粒加热至250℃以上而封装至基板的工艺(process)。本专利技术是鉴于如上所述的情况而完成的，目的在于提供一种能够实现真空吸附的稳定化及维护性的改善的防翘曲用的片。解决问题的技术手段[1]一种PTFE片，对直径为1μm以下的PTFE纤维进行纺织而成，PTFE片中，哥雷(Gurley)值为1～3的范围，加热至300℃时的与片缠绕方向正交的方向上的收缩率为10％以下，当将晶粒封装至被封装体时夹于进行晶粒加热的工具与所述晶粒之间而可利用工具来吸附晶粒，并且抑制将晶粒固定于被封装体的粘接构件附着在所述工具的吸附面或所述晶粒。[2]根据[1]所述的PTFE片，其中PTFE片具有晶粒的凸块形成面上的凸块电极的突起高度以上的厚度，可吸附晶粒的凸块形成面。[3]根据[1]所述的PTFE片，其中PTFE片包含比凸块电极或吸附面更柔软的材质。[4]根据[1]至[4]中任一项所述的PTFE片，其中工具是通过利用真空吸附工具对晶粒及粘接材料进行加热，而将晶粒封装至基板的接合区域，PTFE片成为过滤器，所述过滤器抑制对晶粒或粘接材料进行加热时所产生的烟气渗入至真空吸附工具的抽吸孔。[5]一种晶粒封装方法，包括如下的步骤：准备具有形成有多个凸块电极的凸块形成面的晶粒；对直径为1μm以下的PTFE纤维进行纺织，准备哥雷值为1～3的范围，且加热至300℃时的与片缠绕方向正交的方向上的收缩率为10％以下的PTFE片；将具有吸附面的真空吸附工具，在吸附面与凸块形成面相向的方向上，配置于晶粒的上方；将PTFE片夹于吸附面与凸块形成面之间，利用真空吸附工具而吸附晶粒；以及将利用真空吸附工具而吸附的晶粒，经由粘接材料而封装至基板的接合区域；且PTFE片具有凸块形成面上的凸块电极的突起高度以上的厚度。专利技术的效果根据本专利技术，可实现真空吸附的稳定化及维护性的改善。附图说明[图1]图1是表示本专利技术的实施方式的晶粒封装方法中所使用的接合装置的图。[图2]图2是表示本专利技术的实施方式的晶粒封装方法的流程图的图。[图3]图3是用以说明本专利技术的实施方式的晶粒封装方法的图，具体而言，是表示将工具配置在晶粒的上方的步骤的图。[图4]图4是用以说明本专利技术的实施方式的晶粒封装方法的图，具体而言，是表示将吸附于工具的晶粒经由粘接材料而封装于基板的步骤的图。[图5]图5是用以说明本专利技术的实施方式的晶粒封装方法的图，具体而言，是表示工具的吸附面与晶粒的凸块形成面的大小的关系的平面图。[图6]图6是表示加热前的片的外观的照片，(a)表示实施例，(b)表示比较例的各个片。[图7]图7是表示加热至250℃之后的试样的外观的照片，(a)表示实施例，(b)表示比较例的各个片。具体实施方式以下，对本专利技术的实施方式进行说明。在以下的附图的记载中，对相同或相似的构成组件用相同或相似的符号表示。附图为例示，各部的尺寸或形状为示意性者，不应将本申请专利技术的技术范围限定于所述实施方式来解释。再者，在本说明书中，关于数值范围，记载为“A～B”的情况，是表示“A以上、B以下”。[实施方式]图1是表示本专利技术的实施方式的晶粒封装方法中所使用的接合装置10的概略的图。接合装置10是用以将晶粒100封装至基板110的接合区域的晶粒接合装置。晶粒100包含半导体材料。晶粒100形成为包含作为主面的表面及背面的长方体状。具体而言，晶粒100包括形成有规定的电路图案的表面即第一面102a、以及与第一面102a相反的背面即第二面102b。在本实施方式中，是在晶粒100的第二面102b与基板110相向的方向上，将晶粒100封装至基板110。如上所述的方向上的封装形态通常被称为晶粒接合。再者，晶粒100的第一面102a的详细情况将在后文描述。接合装置10包括晶片台(waferstage)12、中间台14、接合台(bondingstage)16、接合头(bondinghead)18、经由Z轴驱动机构20而安装至接合头18的真空吸附工具22、获取晶粒100的图像信息的拍摄部26、拍摄部27、使接合头18沿XY轴方向移动的XY平台28、以及对这些各种构成的运行进行控制的控制部30。在以下的说明中，将XY轴方向设为与晶粒100的主面(或任一个台的主面)平行的方向，将Z轴方向设为与XY轴方向上的面垂直的方向来进行说明。再者，X轴方向及Y轴方向彼此正交。在晶片台12，载置包含经单片化的多个晶粒100的晶片120。晶片120包含形成有规定的电路图案的表面即第一面122a(相当于晶粒100的第一面102a)、以及与第一面122a相反的背面即第二面122b(相当于晶粒100的第二面102b)。晶片120也可通过将第二面122b粘附在晶片台12上的薄膜，而固定于晶片台12上。晶片台12上的晶粒100通过与真空吸附工具22及拾取单元(未图示)的合作运行而拾取晶粒100本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种聚四氟乙烯片，对直径为1μm以下的聚四氟乙烯纤维进行纺织而成，/n所述聚四氟乙烯片中，哥雷值为1s/100cc/in

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171130 JP 2017-2303761.一种聚四氟乙烯片，对直径为1μm以下的聚四氟乙烯纤维进行纺织而成，
所述聚四氟乙烯片中，哥雷值为1s/100cc/in2～3s/100cc/in2的范围，加热至300℃时的与片缠绕方向正交的方向上的收缩率为10％以下，
当将晶粒封装至被封装体时夹于对所述晶粒进行加热的工具与所述晶粒之间而能够利用所述工具来吸附所述晶粒，并且抑制将所述晶粒固定于所述被封装体的粘接构件附着在所述工具的吸附面或所述晶粒。


2.根据权利要求1所述的聚四氟乙烯片，其中
所述聚四氟乙烯片具有所述晶粒的凸块形成面上的凸块电极的突起高度以上的厚度，能够吸附所述晶粒的凸块形成面。


3.根据权利要求2所述的聚四氟乙烯片，其中所述聚四氟乙烯片包含比所述凸块电极或所述吸附面更柔软的材质。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的聚四氟乙烯片，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：渡辺治，中村智宣，萩原美仁，金井裕司，
申请(专利权)人：株式会社新川，株式会社华尔卡，
类型：发明
国别省市：日本;JP