晶体硅铸锭设备制造技术

本申请提供一种晶体硅铸锭设备，包括壳体及设置在壳体内的换热组件，所述换热组件包括热交换平台、位于所述热交换平台下方的水冷盘，所述水冷盘具有相邻设置的第一冷却区域与第二冷却区域，所述换热组件还包括设置在所述第一冷却区域与热交换平台之间的保温层。所述晶体硅铸锭设备无需变换现有热交换平台及水冷盘的结构，通过所述保温层便可实现热场调整，优化晶体生长过程中的固液界面形态，提高铸锭质量，且结构简洁，易于实现。

【技术实现步骤摘要】
晶体硅铸锭设备
本申请涉及光伏生产
，特别涉及一种晶体硅铸锭设备。
技术介绍
晶体硅太阳能电池目前仍占据光伏市场的重要地位，硅片生产主要通过直拉单晶硅棒或晶体硅锭切割得到。类单晶铸锭是指在坩埚底部铺设单晶籽晶层，再进行装料，加热并通过温场的控制，使得熔融硅料自下向上逐渐完成晶体生长。相较而言，采用类单晶铸锭工艺制得的硅片兼具少子寿命高、位错密度低和低成本等优势，是太阳能电池制造领域的重要发展方向。类单晶铸锭的工艺要求较之传统的多晶硅铸锭更为严格，以期获取单晶占比较高、缺陷密度较低的晶体硅锭。为提高铸锭质量，不仅要对籽晶层的结构与排布方式进行优化，降低位错与缺陷密度；也需要对晶体硅铸锭设备进行结构调整与设计。其中，类单晶铸锭过程对长晶界面的形态要求非常严格，常规的热场结构通常会使得坩埚内的固液界面过凸，上述设计虽然一定程度会减少坩埚侧壁区域的多晶颗粒朝内延伸生长，但上述固液界面可能会因应力较大而使得晶体硅锭生长过程中缺陷增加；并且现有的热场结构针对不同的铸锭工艺调整变换难度较大，成本较高。鉴于此，有必要提供一种新的晶体硅铸锭本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶体硅铸锭设备，包括壳体及设置在壳体内的换热组件，其特征在于：所述换热组件包括热交换平台、位于所述热交换平台下方的水冷盘，所述水冷盘具有相邻设置的第一冷却区域与第二冷却区域，所述换热组件还包括设置在所述第一冷却区域与热交换平台之间的保温层。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶体硅铸锭设备，包括壳体及设置在壳体内的换热组件，其特征在于：所述换热组件包括热交换平台、位于所述热交换平台下方的水冷盘，所述水冷盘具有相邻设置的第一冷却区域与第二冷却区域，所述换热组件还包括设置在所述第一冷却区域与热交换平台之间的保温层。


2.根据权利要求1所述的晶体硅铸锭设备，其特征在于：所述保温层覆设在所述第一冷却区域的上表面，且所述保温层与热交换平台间隔设置。


3.根据权利要求1所述的晶体硅铸锭设备，其特征在于：所述保温层设置在所述水冷盘的中间位置。


4.根据权利要求1所述的晶体硅铸锭设备，其特征在于：所述保温层的厚度设置为10～20mm。


5.根据权利要求1所述的晶体硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：王全志，陈伟，李林东，陈志军，毛亮亮，周硕，
申请(专利权)人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司，包头阿特斯阳光能源科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32