场板和半导体器件的制作方法及半导体器件技术

公开了一种场板和半导体器件的制作方法及半导体器件，该半导体器件的制作方法包括该场板的制作方法，该场板的制作方法包括采用TEOS淀积并高温热退火的方法制作不同厚度的场板氧化层，可以在不造成表面硅损伤的情况下提高场板氧化层厚度，可提高器件的耐压能力；该场板的制备由两步刻蚀完成：首先用干法刻蚀并湿法漂洗获得中阶段场板结构，再干法刻蚀中阶段场板结构的端部，获得终阶段场板结构，除去了湿法漂洗带来的中阶段场板结构边缘缺陷，提高了器件的耐压可靠性。该半导体器件的制作方法和该半导体器件包括采用本发明专利技术的场板的制作方法制作，其具有大厚度的场板氧化层，且耐压可靠。

【技术实现步骤摘要】
场板和半导体器件的制作方法及半导体器件
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种场板和半导体器件的制作方法及半导体器件。
技术介绍
场板是用来提高半导体器件抗高电压击穿能力的常用终端保护结构，在高压器件中，需要在多晶硅或金属场板下形成大厚度的场板氧化层以降低场板终端的垂直电场强度，提高击穿电压，提高器件的耐压可靠性。传统方法中采用热氧化法制作场板氧化层，而热氧化法只在场区生长氧化层，太厚的话在后续的刻蚀过程会造成场区氧化层的损失，使得传统的热氧化法制作的场板氧化层的厚度一般小于300埃，耐压可靠性低；而高温氧化层(HTO)淀积法可以避免上述问题，但是需要专门的高温氧化层淀积设备，生产成本高。
技术实现思路
鉴于上述问题，本专利技术的目的在于提供一种场板和半导体器件的制作方法及半导体器件，从而以较低的成本获得性能好的场板结构，提高半导体器件的耐压可靠性。根据本专利技术的第一方面，提供一种场板的制作方法，包括：在半导体器件体区上表面采用TEOS淀积法制作厚度为300埃至2000埃的场板氧化层；采本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种场板的制作方法，包括：/n在半导体器件体区上表面采用TEOS淀积法制作厚度为300埃至2000埃的场板氧化层；/n采用高温热退火的方法对所述场板氧化层进行退火处理；/n刻蚀经过退火处理的所述场板氧化层，以获得场板结构；/n其中，所述体区包括漂移区和源区，所述漂移区中还包括漏区注入区，所述场板结构位于所述漂移区上、所述漏区注入区与所述漂移区的靠近所述源区的边缘之间。/n

【技术特征摘要】
1.一种场板的制作方法，包括：
在半导体器件体区上表面采用TEOS淀积法制作厚度为300埃至2000埃的场板氧化层；
采用高温热退火的方法对所述场板氧化层进行退火处理；
刻蚀经过退火处理的所述场板氧化层，以获得场板结构；
其中，所述体区包括漂移区和源区，所述漂移区中还包括漏区注入区，所述场板结构位于所述漂移区上、所述漏区注入区与所述漂移区的靠近所述源区的边缘之间。


2.根据权利要求1所述的场板的制作方法，其中，在获得所述场板结构的步骤之前，还包括：
采用干法刻蚀并湿法漂洗的方法刻蚀经过退火处理的所述场板氧化层，获得中阶段场板结构，在所述半导体器件体区上表面上，所述中阶段场板结构的尺寸大于所述场板结构的尺寸。


3.根据权利要求2所述的场板的制作方法，其中，还包括：
在所述中阶段场板结构的靠近所述漏区注入区的一端采用干法刻蚀法刻蚀所述中阶段场板结构，以获得所述场板结构。


4.根据权利要求3所述的场板的制作方法，其中，还包括：
在制作完所述中阶段场板结构的所述半导体器件上生长薄栅氧并淀积多晶硅，并制作栅，
其中，以所述栅为掩膜刻蚀所述中阶段场板结构，以获得自对准的所述场板结构。


5.根据权利要求3或4所述的场板的制作方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆阳，
申请(专利权)人：杰华特微电子杭州有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33