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公开了一种场板和半导体器件的制作方法及半导体器件，该半导体器件的制作方法包括该场板的制作方法，该场板的制作方法包括采用TEOS淀积并高温热退火的方法制作不同厚度的场板氧化层，可以在不造成表面硅损伤的情况下提高场板氧化层厚度，可提高器件的耐压...
该专利属于杰华特微电子(杭州)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杰华特微电子(杭州)有限公司授权不得商用。

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