一种PON型光电探测器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种PON型光电探测器，包括管帽和管座，所述管帽呈类圆柱形并且所述管帽位于所述管座的上方，所述管帽与所述管座固定连接，所述管座包括基座和管脚，所述基座位于所述管脚的上方并且与所述管脚固定连接；探测装置位于所述管帽和所述管座之间并且所述探测装置固定于所述基座。本实用新型专利技术公开的一种PON型光电探测器，其具有倍增效果，响应度和灵敏度更高，能有效接受更多的光电信号，而且确保10G PON探测器灵敏度达到指标要求，可以广泛投入到10G PON光模块的生产使用中。

【技术实现步骤摘要】
一种PON型光电探测器
本技术属于光电探测
，具体涉及一种PON(PassiveOpticalNetwork，无源光纤网络)型光电探测器。
技术介绍
国家要求通讯提速，网络设备商不能随意更改设备，那只能提速网络传输速度。现有的大多数是2.5GEPONGPON，信息传输速率有限。现在升级为10GPON，要接收10G信号，需要研发一种10GPON型光电探测器。每一个探测器的关键指标就是灵敏度，因为在PON通信协议中，对灵敏度都有着严格的要求。10GPON要求探测器灵敏度必须达到－31dBm,而因为光纤损耗的原因，一般10G探测器都只能达到－29dBm，10GPON部署最大的就是29dB损耗这一档。公开号为：CN102998008A，主题名称为一种对称双APD平衡的近红外单光子探测器的专利技术专利，其技术方案公开了“包括顺次连接的正负双极性窄脉冲产生电路(1)，双APD平衡电路(4)，雪崩信号提取电路(5)，雪崩信号鉴别输出电路(6)；所述双APD平衡电路(4)包括两个具有相同结电容的第一雪崩光电管D3、第二雪崩光电管D4，在第一雪崩光电管D3的负极上连接有正极性偏压(2)，第一雪崩光电管D3的负极与正负双极性窄脉冲产生电路(1)的正极性窄脉冲输出端连接，第一雪崩光电管D3的正极与第二雪崩光电管D4的负极连接，第二雪崩光电管D4正极与正负双极性窄脉冲产生电路(1)的负极性窄脉冲输出端连接；在第二雪崩光电管D4正极上连接有负极性偏压(3)；所述雪崩信号提取电路(5)包括将第一雪崩光电管D3产生的雪崩电流转变为电压的第一取样电路(51)以及将第二雪崩光电管D4产生的雪崩电流转变为电压的第二取样电路(52)，在第一取样电路(51)和第二取样电路(52)的输出端连接有将第一雪崩光电管D3、第二雪崩光电管D4产生的容性噪声进行差分消除的差分运算放大器(53)，所述雪崩信号鉴别输出电路(6)的输入端接在差分运算放大器(53)的输出端上”。以上述专利技术专利为例，其虽然也提及了APD探测器，但是技术方案与本技术的不同。
技术实现思路
本技术的主要目的在于提供一种PON型光电探测器，其具有倍增效果，响应度和灵敏度更高，能有效接受更多的光电信号，而且确保10GPON探测器灵敏度达到指标要求，可以广泛投入到10GPON光模块的生产使用中。为达到以上目的，本技术提供一种PON型光电探测器，包括：管帽和管座，所述管帽呈类圆柱形并且所述管帽位于所述管座的上方，所述管帽与所述管座固定连接，所述管座包括基座和管脚，所述基座位于所述管脚的上方并且与所述管脚固定连接；探测装置，所述探测装置位于所述管帽和所述管座之间并且所述探测装置固定于所述基座，所述探测装置包括第一芯片、第二芯片、第一电容、第二电容、OUT+端部、VCC端部、Vapd端部、OUT-端部和GND端部，所述OUT+端部、所述VCC端部、所述Vapd端部、所述OUT-端部和所述GND端部分布于所述第一芯片的四周，所述第一芯片的OUT+管脚和所述OUT+端部电性连接，所述第一芯片的VDD管脚通过所述第一电容与所述VCC端部电性连接，所述第一芯片的PINA管脚通过所述第二电容与所述Vapd端部电性连接，所述第一芯片的OUT-管脚与所述OUT-端部电性连接，所述第二芯片与所述第一芯片电性连接，所述第二芯片为放大芯片。作为上述技术方案的进一步优选的技术方案，所述第一管脚的长度为12.5-14.5mm。作为上述技术方案的进一步优选的技术方案，所述管脚包括第一管脚、第二管脚、第三管脚、第四管脚和第五管脚，所述第一管脚与所述OUT+端部电性连接，所述第二管脚与所述VCC端部电性连接，所述第三管脚与所述Vapd端部电性连接，所述第四管脚与所述OUT-端部电性连接，所述第五管脚与所述GND端部电性连接。作为上述技术方案的进一步优选的技术方案，所述第一电容的容量为1nF，所述第二电容的容量为470pF。作为上述技术方案的进一步优选的技术方案，所述第一芯片为10GAPD芯片。附图说明图1是本技术的PON型光电探测器的结构示意图。图2是本技术的PON型光电探测器的探测装置的结构示意图。附图标记包括：10、管帽；20、管座；21、基座；22、第一管脚；23、第二管脚；24、第三管脚；25、第四管脚；26、第五管脚；30、探测装置；31、第一芯片；32、第一电容；33、第二电容；34、OUT+端部；35、VCC端部；36、Vapd端部；37、OUT-端部；38、第二芯片。具体实施方式以下描述用于揭露本技术以使本领域技术人员能够实现本技术。以下描述中的优选实施例只作为举例，本领域技术人员可以想到其他显而易见的变型。在以下描述中界定的本技术的基本原理可以应用于其他实施方案、变形方案、改进方案、等同方案以及没有背离本技术的精神和范围的其他技术方案。本技术公开了一种PON型光电探测器，下面结合优选实施例，对技术的具体实施例作进一步描述。参见附图的图1，图1是本技术的PON型光电探测器的结构示意图，图2是本技术的PON型光电探测器的探测装置的结构示意图。在本技术的实施例中，本领域技术人员注意，本技术涉及的第一电容、第二电容等可被视为现有技术。优选实施例。本技术公开了一种PON型光电探测器，包括：管帽10和管座20，所述管帽10呈类圆柱形并且所述管帽10位于所述管座20的上方，所述管帽10与所述管座20固定连接，所述管座20包括基座21和管脚，所述基座21位于所述管脚的上方并且与所述管脚固定连接；探测装置30，所述探测装置30位于所述管帽10和所述管座20之间并且所述探测装置30固定于所述基座21，所述探测装置30包括第一芯片31、第一电容32、第二芯片38、第二电容33、OUT+端部34、VCC端部35、Vapd端部36、OUT-端部37和GND端部，所述OUT+端部34、所述VCC端部35、所述Vapd端部36、所述OUT-端部37和所述GND端部分布于所述第一芯片31的四周，所述第一芯片31的OUT+管脚和所述OUT+端部34电性连接，所述第一芯片31的VDD管脚通过所述第一电容32与所述VCC端部35电性连接，所述第一芯片31的PINA管脚通过所述第二电容33与所述Vapd端部36电性连接，所述第一芯片31的OUT-管脚与所述OUT-端部37电性连接，所述第二芯片38与所述第一芯片31电性连接，所述第二芯片38为放大芯片。具体的是，所述管脚包括第一管脚22、第二管脚23、第三管脚24、第四管脚25和第五管脚26，所述第一管脚22与所述OUT+端部34电性连接，所述第二管脚23与所述VCC端部35电性连接，所述第三管脚24与所述Vapd端部36电性连接，所述第四管脚25与所述OUT-端部37电性连接，所述第五管脚26与所述GND端部电性连接。更具体的是，所述第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种PON型光电探测器，其特征在于，包括：/n管帽和管座，所述管帽呈类圆柱形并且所述管帽位于所述管座的上方，所述管帽与所述管座固定连接，所述管座包括基座和管脚，所述基座位于所述管脚的上方并且与所述管脚固定连接；/n探测装置，所述探测装置位于所述管帽和所述管座之间并且所述探测装置固定于所述基座，所述探测装置包括第一芯片、第二芯片、第一电容、第二电容、OUT+端部、VCC端部、Vapd端部、OUT-端部和GND端部，所述OUT+端部、所述VCC端部、所述Vapd端部、所述OUT-端部和所述GND端部分布于所述第一芯片的四周，所述第一芯片的OUT+管脚和所述OUT+端部电性连接，所述第一芯片的VDD管脚通过所述第一电容与所述VCC端部电性连接，所述第一芯片的PINA管脚通过所述第二电容与所述Vapd端部电性连接，所述第一芯片的OUT-管脚与所述OUT-端部电性连接，所述第二芯片与所述第一芯片电性连接，所述第二芯片为放大芯片。/n

【技术特征摘要】
1.一种PON型光电探测器，其特征在于，包括：
管帽和管座，所述管帽呈类圆柱形并且所述管帽位于所述管座的上方，所述管帽与所述管座固定连接，所述管座包括基座和管脚，所述基座位于所述管脚的上方并且与所述管脚固定连接；
探测装置，所述探测装置位于所述管帽和所述管座之间并且所述探测装置固定于所述基座，所述探测装置包括第一芯片、第二芯片、第一电容、第二电容、OUT+端部、VCC端部、Vapd端部、OUT-端部和GND端部，所述OUT+端部、所述VCC端部、所述Vapd端部、所述OUT-端部和所述GND端部分布于所述第一芯片的四周，所述第一芯片的OUT+管脚和所述OUT+端部电性连接，所述第一芯片的VDD管脚通过所述第一电容与所述VCC端部电性连接，所述第一芯片的PINA管脚通过所述第二电容与所述Vapd端部电性连接，所述第一芯片的OUT-管脚与所述OUT-端部电性连接，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：范从庆，
申请(专利权)人：浙江矽感锐芯科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33