MRAM的制备方法技术

本发明专利技术提供一种MRAM的制备方法。所述方法包括：在衬底上形成底电极层并图形化所述底电极层以形成多个底电极；通过沉积工艺形成磁性隧道结堆叠件，使得在所述底电极的顶面上形成所述磁性隧道结堆叠件的第一部分，并且在与所述底电极的顶面不同的水平面上形成所述磁性隧道结堆叠件的第二部分；实施去除工艺以去除所述磁性隧道结堆叠件的所述第一部分的两侧壁边缘部分，并去除所述磁性隧道结堆叠件的所述第二部分。本发明专利技术能够减少MTJ发生短路的几率，提高器件良率。

【技术实现步骤摘要】
MRAM的制备方法
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种MRAM的制备方法。
技术介绍
磁性随机存储器(MagneticRandomAccessMemory，MRAM)被认为是未来的固态非易失性记忆体，它具有高速读写、大容量以及低能耗的特点。MRAM的核心部件是磁性隧道结(MagneticTunnelJunction，MTJ)，MTJ一般结构包括两个磁性层以及位于两个磁性层之间的隧穿层，采用传统工艺制备MRAM时，通过沉积工艺形成磁性隧道结，如图1所示，先沉积第二磁性层，然后沉积隧穿层，最后沉积第一磁性层，但是由于沉积技术的限制，有可能在沉积第一磁性层时，第一磁性层的金属材料和第二磁性层的金属材料发生短路，从而导致MTJ失效，降低了器件良率。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供一种MRAM的制备方法，能够减少MTJ发生短路的几率，提高器件良率。本专利技术提供一种MRAM的制备方法，包括：在衬底上形成底电极层并图形化所述底电极层以形成多个底电极；通过沉积工艺形成磁性隧道结堆叠本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种MRAM的制备方法，其特征在于，包括：/n在衬底上形成底电极层并图形化所述底电极层以形成多个底电极；/n通过沉积工艺形成磁性隧道结堆叠件，使得在所述底电极的顶面上形成所述磁性隧道结堆叠件的第一部分，并且在与所述底电极的顶面不同的水平面上形成所述磁性隧道结堆叠件的第二部分；/n实施去除工艺以去除所述磁性隧道结堆叠件的所述第一部分的两侧壁边缘部分，并去除所述磁性隧道结堆叠件的所述第二部分。/n

【技术特征摘要】
1.一种MRAM的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底上形成底电极层并图形化所述底电极层以形成多个底电极；
通过沉积工艺形成磁性隧道结堆叠件，使得在所述底电极的顶面上形成所述磁性隧道结堆叠件的第一部分，并且在与所述底电极的顶面不同的水平面上形成所述磁性隧道结堆叠件的第二部分；
实施去除工艺以去除所述磁性隧道结堆叠件的所述第一部分的两侧壁边缘部分，并去除所述磁性隧道结堆叠件的所述第二部分。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述实施去除工艺以去除所述磁性隧道结堆叠件的所述第一部分的两侧壁边缘部分，并去除所述磁性隧道结堆叠件的所述第二部分，包括：
沉积掩膜层并图形化所述掩膜层，使得在每个底电极上的掩膜层的尺寸小于所述磁性隧道结堆叠件的所述第一部分的尺寸；
基于所述掩膜层，采用刻蚀工艺去除所述磁性隧道结堆叠件的第一部分的两侧壁边缘部分以及所述磁性隧道结堆叠件的所述第二部分。


3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述实施去除工艺以去除所述磁性隧道结堆叠件的所述第一部分的两侧壁边缘部分，并去除所述磁性隧道结堆叠件的所...

【专利技术属性】
技术研发人员：左正笏，
申请(专利权)人：中电海康集团有限公司，浙江驰拓科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33