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本发明提供一种MRAM的制备方法。所述方法包括：在衬底上形成底电极层并图形化所述底电极层以形成多个底电极；通过沉积工艺形成磁性隧道结堆叠件，使得在所述底电极的顶面上形成所述磁性隧道结堆叠件的第一部分，并且在与所述底电极的顶面不同的水平面上形...该专利属于中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司授权不得商用。