制造记忆体装置的方法制造方法及图纸

本揭露相关于一种制造记忆体装置的方法，这种制造记忆体装置的方法包含如下所述的步骤。形成介电层于基板上。形成底电极沟槽开口于介电层上。形成底电极于底电极沟槽开口里。回蚀底电极。形成选择器于底电极沟槽开口内与底电极上。形成记忆体层于选择器上。形成顶电极于记忆体层上。上述的制造方法，将不会给记忆体装置增加面积的使用负担，并且因此增强了高密度装置中基板面积的使用效率。

【技术实现步骤摘要】
制造记忆体装置的方法
本揭露相关于一种制造记忆体装置的方法。
技术介绍
在半导体装置与系统中，记忆体装置是用于储存信息。其中在记忆体装置里，最受欢迎的是动态随机存取记忆体(dynamicrandomaccessmemory，DRAM)。动态随机存取记忆体包含一个开关与一个电容。动态随机存取记忆体是高度集成且高速的记忆体装置，但是，当电源关闭时，动态随机存取记忆体将不能保留数据。另一方面，非挥发性记忆体(nonvolatilememory)装置即使是在电源关闭的情况下，仍然具有保留数据的能力。非挥发性记忆体的例子包含快闪记忆体(flashmemory)、磁阻式随机存取记忆体(magneticrandomaccessmemories，MRAMs)、可变电阻式记忆体(resistiverandomaccessmemories，RRAMs)以及随机相变化存取记忆体(phase-changerandomaccessmemories，PCRAMs)。磁阻式随机存取记忆体利用在穿隧接面的磁化方向变化来储存数据。随机相变化存取记忆体利用由特定材料的相变本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造一记忆体装置的方法，其特征在于，包含：/n形成一介电层于一基板上；/n形成一底电极沟槽开口于该介电层上；/n形成一底电极于该底电极沟槽开口；/n回蚀该底电极；/n形成一选择器于该底电极沟槽开口内与该底电极上；/n形成一记忆体层于该选择器上；以及/n形成一顶电极于该记忆体层上。/n

【技术特征摘要】
20190222 US 16/283,4551.一种制造一记忆体装置的方法，其特征在于，包含：
形成一介电层于一基板上；
形成一底电极沟槽开口于该...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴昭谊，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71