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本揭露相关于一种制造记忆体装置的方法，这种制造记忆体装置的方法包含如下所述的步骤。形成介电层于基板上。形成底电极沟槽开口于介电层上。形成底电极于底电极沟槽开口里。回蚀底电极。形成选择器于底电极沟槽开口内与底电极上。形成记忆体层于选择器上。形...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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