半导体装置制造方法及图纸

根据一个实施方式，本实施方式的半导体装置具备半导体衬底，该半导体衬底具有第1面、及相对于该第1面位于相反侧的第2面。半导体元件设置于半导体衬底的第1面。多晶或非晶质的第1材料层设置于半导体衬底的第1面的至少外缘。可让激光透过的第2材料层设置于半导体衬底的第2面。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置相关申请案本申请案基于2019年03月15日提出申请的先前的日本专利申请案第2019-048945号的优先权的利益，且要求该利益，其全部内容通过引用而包含于此。
本实施方式涉及一种半导体装置。
技术介绍
激光切割技术是一种使用激光将半导体晶圆的内部改质，并以改质部分为起点将半导体晶圆劈开的方法。但是，从改质部分扩大的劈开的直进性较弱，因此存在位于半导体晶圆切割线上的材料膜不被直线地分割，从而分割线蜿蜒的情况。如果在利用激光加以改质后，再通过研磨步骤使半导体晶圆变薄，那么材料膜的分割线会更大程度地弯曲，而导致裂痕到达至器件区域。
技术实现思路
本专利技术的一个实施方式提供一种能够提高从改质部分扩大的劈开的直进性的半导体装置。本实施方式的半导体装置具备半导体衬底，该半导体衬底具有第1面、及相对于该第1面位于相反侧的第2面。半导体元件设置于半导体衬底的第1面。多晶或非晶质的第1材料层设置于半导体衬底的第1面的至少外缘。可让激光透过的第2材料层设置于半导体衬底的第2面。根据所述构成，可以提供本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，具备：/n半导体衬底，具有第1面、及相对于该第1面位于相反侧的第2面；/n半导体元件，设置于所述半导体衬底的所述第1面；/n多晶或非晶质的第1材料层，设置于所述半导体衬底的所述第1面的至少外缘；及/n第2材料层，设置于所述半导体衬底的所述第2面，可让激光透过。/n

【技术特征摘要】
20190315 JP 2019-0489451.一种半导体装置，具备：
半导体衬底，具有第1面、及相对于该第1面位于相反侧的第2面；
半导体元件，设置于所述半导体衬底的所述第1面；
多晶或非晶质的第1材料层，设置于所述半导体衬底的所述第1面的至少外缘；及
第2材料层，设置于所述半导体衬底的所述第2面，可让激光透过。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中
所述第1材料层还设置于所述半导体元件与所述半导体衬底之间。


3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中
所述第1材料层中包含多晶硅、非晶硅、氧化硅膜、氮化硅膜、类钻碳、氧化钇、氧化锆、氧化铝、钨、钼中任一者。


4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中
所述第1材料层中包含多晶硅、非晶硅、氧化硅膜、氮化硅膜、类钻碳、氧化钇、氧化锆、氧化铝、钨、钼中任一者。


5.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中
所述第2材料层可让800nm至2500nm波长的激光透过。


6.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中
所述第2材料层的杨氏模数比所...

【专利技术属性】
技术研发人员：大野天颂，藤田努，久米一平，友野章，
申请(专利权)人：东芝存储器株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP