一种提高FinFET器件抗总剂量辐照性能的方法技术

本发明专利技术公开了一种提高FinFET器件抗总剂量辐照性能的方法。该方法利用氧化层陷阱电荷密度和界面态的晶向依赖性，在版图设计时通过适当调整器件摆放方向，确保FinFET器件沟道晶向为<100>，使得总剂量辐照在制备得到的FinFET器件中产生的氧化层陷阱电荷密度和界面态密度更低，从而减少总剂量辐照对FinFET器件的影响，提高FinFET器件抗总剂量辐照性能。

【技术实现步骤摘要】
一种提高FinFET器件抗总剂量辐照性能的方法
本专利技术涉及一种提高鳍式场效应晶体管(FinFET)抗总剂量辐照性能的方法，属于超大规模集成电路制造

技术介绍
随着集成电路技术的快速发展，器件特征尺寸已缩小到纳米尺度。FinFET器件具有良好的栅控能力，能够克服传统平面体硅器件所面临的短沟道效应、迁移率退化等问题。从22nm技术节点开始，FinFET已经成为纳米级超大规模集成电路制造中的主流器件。根据衬底的不同，FinFET器件可以分为体硅FinFET器件和绝缘衬底上硅(SOI)FinFET器件。另一方面，随着航天技术的飞速发展，越来越多集成电路工作在空间辐射环境下。工作在外太空中的微电子器件受到空间辐射环境中的电子、X射线、γ射线等辐照后，会产生总剂量辐射效应，导致器件直流特性发生变化，如阈值电压漂移、关态泄漏电流增加、跨导变化等，引起集成电路功耗增加、性能降低甚至功能失效。为了使集成电路能够正常工作在恶劣的空间辐射环境中，对器件的抗辐照性能提出较高要求。现有的研究表明，FinFET器件受总剂量辐照后出现关态泄漏电流增大、阈值电压本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种提高FinFET器件抗总剂量辐照性能的方法，在进行版图设计时通过调整FinFET器件摆放方向，使FinFET沟道晶向为<100>，然后以该版图制备FinFET器件。/n

【技术特征摘要】
1.一种提高FinFET器件抗总剂量辐照性能的方法，在进行版图设计时通过调整FinFET器件摆放方向，使FinFET沟道晶向为<100>，然后以该版图制备FinFET器件。


2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：
1)确定晶圆晶面；
2)根据晶圆晶面调整FinFET器件摆放方向，确保FinFET沟道晶向为<100>；
3)以步骤2)得到的版图制备FinFET器件。


3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述FinF...

【专利技术属性】
技术研发人员：安霞，任哲玄，李艮松，陈珙，黎明，黄如，张兴，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：北京;11