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本发明公开了一种提高FinFET器件抗总剂量辐照性能的方法。该方法利用氧化层陷阱电荷密度和界面态的晶向依赖性，在版图设计时通过适当调整器件摆放方向，确保FinFET器件沟道晶向为<100>，使得总剂量辐照在制备得到的FinFET...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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