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根据一个实施方式，本实施方式的半导体装置具备半导体衬底，该半导体衬底具有第1面、及相对于该第1面位于相反侧的第2面。半导体元件设置于半导体衬底的第1面。多晶或非晶质的第1材料层设置于半导体衬底的第1面的至少外缘。可让激光透过的第2材料层设置...
该专利属于东芝存储器株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东芝存储器株式会社授权不得商用。

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