影像感测器及其制造方法技术

本揭露提供一种影像感测器及其制造方法。影像感测器包括半导体基板、第一环形掺杂区、第二环形掺杂区、环形隔离区、光电转换区、电压转换区以及栅极结构。第一环形掺杂区设置在半导体基板中，并且包括第一类型掺杂物。第二环形掺杂区设置在半导体基板中，并且在第一环形掺杂区上方，第二环形掺杂区包括第二类型掺杂物。环形隔离区设置在半导体基板中，并且在第二环形掺杂区上方。光电转换区设置在环形隔离区内的半导体基板中。电压转换区设置在环形隔离区内的半导体基板中。栅极结构设置在半导体基板上。

【技术实现步骤摘要】
影像感测器及其制造方法
本揭露是关于一种影像感测器及其制造方法，特别是可以减少高光溢出(blooming)和电性串扰(electricalcrosstalk)的影像感测器。
技术介绍
在半导体技术中，影像感测器被用来感测照射至半导体基板的光线。习知的影像感测器包括互补式金氧半(complementarymetaloxidesemiconductor，CMOS)影像感测器和电荷耦合装置(chargecoupleddevice，CCD)影像感测器。这些影像感测器被广泛地应用在用来撷取影像或拍摄影片的电子装置，例如数位相机。影像感测器中有多个像素，当光线照射在影像感测器的像素时，会在影像感测器中激发出电子，并且电子会累积在像素的光二极管(photodiode，PD)中。具体来说，电子会累积在光二极管形成的电容中。然而，如果激发出的电子靠近像素的边缘，电子可能会跨越至另一个像素，并且累积在另一个像素的光二极管中，这种现象称为电性串扰(electricalcrosstalk)。另外，如果累积在像素的光二极管中的电子超过光二极管能累积的量(即光二极本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种影像感测器，其特征在于，包括：/n一半导体基板；/n一第一环形掺杂区，设置在所述半导体基板中，所述第一环形掺杂区包括一第一类型掺杂物；/n一第二环形掺杂区，设置在所述半导体基板中，并且在所述第一环形掺杂区上方，所述第二环形掺杂区包括一第二类型掺杂物；/n一环形隔离区，设置在所述半导体基板中，并且在所述第二环形掺杂区上方；/n一光电转换区，设置在所述环形隔离区内的所述半导体基板中；/n一电压转换区，设置在所述环形隔离区内的所述半导体基板中；以及/n一栅极结构，设置在所述半导体基板上。/n

【技术特征摘要】
20190314 TW 1081086041.一种影像感测器，其特征在于，包括：
一半导体基板；
一第一环形掺杂区，设置在所述半导体基板中，所述第一环形掺杂区包括一第一类型掺杂物；
一第二环形掺杂区，设置在所述半导体基板中，并且在所述第一环形掺杂区上方，所述第二环形掺杂区包括一第二类型掺杂物；
一环形隔离区，设置在所述半导体基板中，并且在所述第二环形掺杂区上方；
一光电转换区，设置在所述环形隔离区内的所述半导体基板中；
一电压转换区，设置在所述环形隔离区内的所述半导体基板中；以及
一栅极结构，设置在所述半导体基板上。


2.根据权利要求1所述的影像感测器，其特征在于，还包括：
一隔离结构，设置在所述环形隔离区中，并且在所述第二环形掺杂区上方。


3.根据权利要求1所述的影像感测器，其特征在于，所述第一环形掺杂区、所述第二环形掺杂区以及所述环形隔离区彼此重叠。


4.根据权利要求1所述的影像感测器，其特征在于，所述光电转换区包括一光二极管。


5.根据权利要求1所述的影像感测器，其特征在于，所述电压转换区为一浮置扩散区。


6.一种影像感测器的制造方法，其特征在于，包括：
在一半导体基板中形成一第一环形掺杂区，所述第一环形掺杂区包括一第一类型掺杂...

【专利技术属性】
技术研发人员：李柏叡，
申请(专利权)人：晶相光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71