探测基板及射线探测器制造技术

本公开提供了一种探测基板及射线探测器，包括：衬底基板；多个探测像素，位于衬底基板之上，其中至少一个探测像素作为探测标记像素，探测标记像素包括：存储电容，存储电容的第一电极板与偏置电压端耦接；放电电路，放电电路被配置为在第一扫描信号端的控制下，将偏置电压端的信号写入存储电容的第二电极板；读取电路，与外部读取电路耦接，读取电路被配置为在第二扫描信号端的控制下，将存储电容的第二电极板的电压写入外部读取电路，并将外部读取电路的参考信号写入存储电容的第二电极板。

【技术实现步骤摘要】
探测基板及射线探测器
本公开涉及光电探测
，尤其涉及一种探测基板及射线探测器。
技术介绍
X射线检测技术广泛应用于工业无损检测、集装箱扫描、电路板检查、医疗、安防、工业等领域，具有广阔的应用前景。传统的X-Ray成像技术属于模拟信号成像，分辨率不高，图像质量较差。20世纪90年代末出现的X射线数字化成像技术(DigitalRadioGraphy，DR)采用X射线平板探测器直接将X影像转换为数字图像，以其操作便捷、成像速度快、成像分辨率高、转换的数字图像清晰、数字图像易于保存和传送等显著优点，成为数字X线摄影技术的主导方向，并得到世界各国的临床机构和影像学专家认可。
技术实现思路
一方面，本公开实施例提供了一种探测基板，包括：衬底基板；多个探测像素，位于所述衬底基板之上，其中至少一个探测像素作为探测标记像素，所述探测标记像素包括：存储电容，所述存储电容的第一电极板与偏置电压端耦接；放电电路，所述放电电路被配置为在第一扫描信号端的控制下，将所述偏置电压端的信号写入所述存储电容的第二电极板；读取电路，与外部读取电路耦接，所述读取电路被配置为在第二扫描信号端的控制下，将所述存储电容的第二电极板的电压写入所述外部读取电路，并将所述外部读取电路的参考信号写入所述存储电容的第二电极板。可选地，在本公开实施例提供的上述探测基板中，所述放电电路包括：第一晶体管，所述第一晶体管的第一栅极与所述第一扫描信号端耦接，第一源极与所述偏置电压端耦接，第一漏极与所述存储电容的第二电极板耦接。可选地，在本公开实施例提供的上述探测基板中，所述读取电路包括：第二晶体管，所述第二晶体管的第二栅极与所述第二扫描信号端耦接，第二源极与所述第二存储电容的第二电极板耦接，第二漏极与所述外部读取电路耦接。可选地，在本公开实施例提供的上述探测基板中，所述第一栅极与所述第二栅极同层设置，所述第一有源层与第二有源层同层设置、所述第一源极、所述第一漏极与所述第二源极、所述第二漏极同层设置的。可选地，在本公开实施例提供的上述探测基板中，还包括：依次位于所述第一源极所在层背离所述衬底基板一侧的下电极、光电转换层、上电极、平坦层、以及与所述上电极电连接的偏置电压层；所述上电极复用为存储电容的第一电极板；所述下电极复用为所述存储电容的第二电极板，且与所述第一漏极、所述第二源极分别电连接。可选地，在本公开实施例提供的上述探测基板中，所述光电转换层在所述衬底基板上的正投影位于所述偏置电压层的正投影内。可选地，在本公开实施例提供的上述探测基板中，还包括：依次位于所述第一源极所在层背离所述衬底基板一侧的钝化层、平坦层和偏置电压层；所述偏置电压层复用为存储电容的第一电极板；所述存储电容的第二电极板位于所述钝化层与所述平坦层之间，且所述第一漏极和所述第二源极分别电连接。可选地，在本公开实施例提供的上述探测基板中，还包括：依次位于所述第一源极所在层背离所述衬底基板一侧的钝化层、平坦层和偏置电压层；存储电容的第一电极板位于所述钝化层与所述平坦层之间，且与所述偏置电压层电连接；所述存储电容的第二电极板与所述第一源极同层设置，且所述第一漏极和所述第二源极分别电连接。可选地，在本公开实施例提供的上述探测基板中，还包括：位于所述第一源极所在层背离所述衬底基板一侧的偏置电压层，以及位于所述第一栅极所在层与所述第一有源层之间的栅绝缘层；存储电容的第一电极板与所述第一源极同层设置，且与所述偏置电压层电连接；所述存储电容的第二电极板与所述第一栅极同层设置，且所述第一漏极和所述第二源极分别电连接。可选地，在本公开实施例提供的上述探测基板中，所述第二栅极包括多个子栅极。可选地，在本公开实施例提供的上述探测基板中，所述第一有源层在所述衬底基板上的正投影位于所述偏置电压层的正投影内。可选地，在本公开实施例提供的上述探测基板中，所述探测标记像素之外的其他所述探测像素包括：第三晶体管和位于所述第三晶体管背离所述衬底基板一侧的光敏器件；其中，所述第三晶体管包括：与所述第一栅极同层设置的第三栅极、与所述第一有源层同层设置的第三有源层、以及与所述第一源极同层设置的第三源极和第三漏极；所述光敏器件包括：与所述第三源极电连接的下电极、以及依次位于所述下电极背离所述衬底基板一侧的光电转换层和上电极。可选地，在本公开实施例提供的上述探测基板中，所述存储电容的电容值与所述光敏器件的电容值之比为1:10-1:1。可选地，在本公开实施例提供的上述探测基板中，所述第三晶体管的沟道宽长比大于所述第二晶体管的沟道宽长比。另一方面，本公开实施例提供了一种射线探测器，包括上述探测基板。附图说明图1为相关技术中标记效果图；图2为图1中沿I-II线上各探测像素的灰度变化图；图3为本公开实施例提供的探测基板的电路图；图4为本公开实施例提供的探测基板的具体电路图；图5为探测标记像素的工作时序图；图6、图7、图8、图9、图10、图11、图12、图13和图14分别为本公开实施例提供探测基板在制作过程中的结构示意图。具体实施方式为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。附图中各膜层的厚度和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本公开内容。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本公开保护的范围。除非另作定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“内”、“外”、“上”、“下”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。新产品开发时，客户提出要制作亮度较高像素，作为探测标记像素(Markingpixel)，用于标记相对位置使用。如果使用PIN型光敏器件上下电极直接短接(Short)的方法，该Short点(如图1中圆圈所示)的灰度值会一直稳定在65535@16bitROIC，可用于做Markingpixel。但是，当PIN型光敏器件的上下电极短接时，PIN型光敏器件的上电极所加载的偏压信号中的电子会持续不断地转移至外部读取电路(ROIC)中，导致ROIC所提供参考信号Ref的电位被拉低，进一步致使Markingpixel附近的探测像素受到串扰，具体如图1和图2所示，与该MarkingPixel同本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种探测基板，其中，包括：/n衬底基板；/n多个探测像素，位于所述衬底基板之上，其中至少一个探测像素作为探测标记像素，所述探测标记像素包括：/n存储电容，所述存储电容的第一电极板与偏置电压端耦接；/n放电电路，所述放电电路被配置为在第一扫描信号端的控制下，将所述偏置电压端的信号写入所述存储电容的第二电极板；/n读取电路，与外部读取电路耦接，所述读取电路被配置为在第二扫描信号端的控制下，将所述存储电容的第二电极板的电压写入所述外部读取电路，并将所述外部读取电路的参考信号写入所述存储电容的第二电极板。/n

【技术特征摘要】
1.一种探测基板，其中，包括：
衬底基板；
多个探测像素，位于所述衬底基板之上，其中至少一个探测像素作为探测标记像素，所述探测标记像素包括：
存储电容，所述存储电容的第一电极板与偏置电压端耦接；
放电电路，所述放电电路被配置为在第一扫描信号端的控制下，将所述偏置电压端的信号写入所述存储电容的第二电极板；
读取电路，与外部读取电路耦接，所述读取电路被配置为在第二扫描信号端的控制下，将所述存储电容的第二电极板的电压写入所述外部读取电路，并将所述外部读取电路的参考信号写入所述存储电容的第二电极板。


2.如权利要求1所述的探测基板，其中，所述放电电路包括：第一晶体管，所述第一晶体管的第一栅极与所述第一扫描信号端耦接，第一源极与所述偏置电压端耦接，第一漏极与所述存储电容的第二电极板耦接。


3.如权利要求2所述的探测基板，其中，所述读取电路包括：第二晶体管，所述第二晶体管的第二栅极与所述第二扫描信号端耦接，第二源极与所述第二存储电容的第二电极板耦接，第二漏极与所述外部读取电路耦接。


4.如权利要求3所述的探测基板，其中，所述第一栅极与所述第二栅极同层设置，所述第一有源层与所述第二有源层同层设置，所述第一源极、所述第一漏极与所述第二源极、所述第二漏极同层设置。


5.如权利要求4所述的探测基板，其中，还包括：依次位于所述第一源极所在层背离所述衬底基板一侧的下电极、光电转换层、上电极、平坦层、以及与所述上电极电连接的偏置电压层；
所述上电极复用为存储电容的第一电极板；
所述下电极复用为所述存储电容的第二电极板，且与所述第一漏极、所述第二源极分别电连接。


6.如权利要求5所述的探测基板，其中，所述光电转换层在所述衬底基板上的正投影位于所述偏置电压层的正投影内。


7.如权利要求4所述的探测基板，其中，还包括：依次位于所述第一源极所在层背离所述衬底基板一侧的钝化层、平坦层和偏置电压层；
所述偏置电压层复用为存储电容的第一电极板；
所...

【专利技术属性】
技术研发人员：尚建兴，李金钰，钟昆璟，苏静杰，侯学成，姜振武，王振宇，吴申康，鲁海阳，马健，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方传感技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11