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本揭露提供一种影像感测器及其制造方法。影像感测器包括半导体基板、第一环形掺杂区、第二环形掺杂区、环形隔离区、光电转换区、电压转换区以及栅极结构。第一环形掺杂区设置在半导体基板中，并且包括第一类型掺杂物。第二环形掺杂区设置在半导体基板中，并且...
该专利属于晶相光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过晶相光电股份有限公司授权不得商用。

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