光致抗蚀剂组合物及形成光刻图案的方法技术

本发明专利技术提供了一种光致抗蚀剂组合物及形成光刻图案的方法。上述光致抗蚀剂组合物包括：(A)在酸的作用下碱溶性发生变化的树脂，(B)光致产酸剂；光致产酸剂选自具有通式(I)或通式(II)所示结构的化合物中的一种或几种。相比于现有的化学增幅型光致抗蚀剂，本申请提供的光致抗蚀剂组合物具有较好的相容性好和较高的化学稳定性，在黑暗室温的条件下，能够长时间保存，不易产生微小粒子；同时其还具有较高的灵敏度，形成的抗蚀图案形状好，且显影后形成的抗蚀图案的瑕疵点少。

【技术实现步骤摘要】
光致抗蚀剂组合物及形成光刻图案的方法
本专利技术涉及辐射固化领域，具体而言，涉及一种光致抗蚀剂组合物及形成光刻图案的方法。
技术介绍
通常把KrF准分子激光，ArF准分子激光、F2准分子激光、EUV(远紫外光)、EB(电子射线)等作为化学增幅型光致抗蚀剂组合物的光源。根据现有文献的记载，化学增幅型光致抗蚀剂组合物其包含树脂成分A、光致产酸剂B和有机溶剂C。作为这种化学增幅型的光致抗蚀剂组合物，要求其具备高分辨率、高感光度并能形成良好的抗蚀图案。近年来，随着对0.15微米以下的高分辨力的抗蚀图案的需求的出现，除了这些性能要求以外，还要求进一步改善显影后的抗蚀图案的表面缺陷，如显影后的浮渣、气泡、废渣、抗蚀图案间的微桥等。这有可能是组合物中各组分相容性不佳或是储存稳定性不佳引起的。为了改善这种瑕疵，另一篇现有文献提出了使光致抗蚀剂组合物通过过滤器，来降低组合物中微粒子的方法。又一篇现有文献提出了使光致抗蚀剂组合物通过具有正的zeta电位的过滤器进行过滤以出去微粒子颗粒。但是以上这些方法，有时会导致其组成发生变化，从而影响最终组合物的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光致抗蚀剂组合物，其特征在于，所述光致抗蚀剂组合物包括：/n(A)在酸的作用下碱溶性发生变化的树脂，/n(B)光致产酸剂；所述光致产酸剂选自具有通式(I)或通式(II)所示结构的化合物中的一种或几种：/n

【技术特征摘要】
1.一种光致抗蚀剂组合物，其特征在于，所述光致抗蚀剂组合物包括：
(A)在酸的作用下碱溶性发生变化的树脂，
(B)光致产酸剂；所述光致产酸剂选自具有通式(I)或通式(II)所示结构的化合物中的一种或几种：



其中，所述R1表示第一吸电子基团；
所述R2表示第一增幅基团；
各所述R3分别独立选自氢、卤原子、硝基、氰基、羟基、酰基、酰氧基、磺酰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的芳烷基，且所述R3中的-CH2-可被-O-、-S-所取代，且所述R3基团可彼此成环；
各所述R4分别独立选自氢、卤素、硝基、氰基、羟基、酰基、酰氧基、磺酰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的芳烷基，且所述R4中的-CH2-可被-O-、-S-、或-CH＝CH-所取代，且所述R4基团可彼此成环；
各所述n和所述m各自独立地表示0～5的整数；
各所述R5表示第二吸电子基团；
各所述R6表示第二增幅基团；
各所述R7分别独立选自氢、卤素、硝基、氰基、羟基、酰基、酰氧基、磺酰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的芳烷基，且所述R7中的碳碳键可被-O-、-S-所中断，且所述R7基团可彼此成环；所述x表示0～5的整数；
各所述R8分别独立选自氢、卤素、硝基、氰基、羟基、酰基、酰氧基、磺酰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的芳烷基，且所述R8中的碳碳键可被-O-、-S-所中断，且所述R8基团可彼此成环；所述y表示0～4的整数；
各所述R9分别独立选自氢、卤原子、硝基、氰基、羟基、酰基、酰氧基、磺酰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的芳烷基，且所述R9中的碳碳键可被-O-、-S-所中断，且所述R9基团可彼此成环；所述z表示0～4的整数；
所述A表示第一连接基团或连接键，所述M表示空或第二连接基团，且所述第一连接基团和所述第二连接基团相同或不同；
所述Q-表示非亲核性阴离子。


2.根据权利要求1所述的光致抗蚀剂组合物，其特征在于，所述R1和所述R5分别独立地选自卤素、氰基、硝基、烷氧基、卤代烷基、酰基、酰氧基或磺酰基。


3.根据权利要求1所述的光致抗蚀剂组合物，其特征在于，所述R2和所述R6分别独立地选自取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、以及取代或未取代的芳烷基；
优选地，所述R2和所述R6为未取代的烷基，且所述未取代的烷基选自C1～C8的直链烷基甲基和C3～C8的支链烷基组成的组中的一种，所述取代或未取代的芳烷基为以苯基封端的C1～C8的烷基；
更优选地，所述烷基选自甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基或异丁基，所述取代或未取代的芳烷基为以苯基封端的C1～C4的烷基。


4.根据权利要求1所述的光致抗蚀剂组合物，其特征在于，所述A中的第一连接基团选自＊O＊、＊S＊、亚烷基或亚链烯基，优选地，所述亚烷基选自C1～C4的直链亚烷基，所述亚链烯基为-CH＝CH-；
所述M中的第二连接基团选自＊O＊、＊S＊或其中，所述R11、所述R12、所述R13各自独立地表示氢、C1～C20的直链或支链烷基、C3～C20的环烷基、C3～C6的环烷基取代的C1～C10的...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡春青，金晓蓓，
申请(专利权)人：常州强力先端电子材料有限公司，常州强力电子新材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32