具有悬浮膜并在锚边缘具有圆角的电容式压力传感器和其他器件制造技术

技术编号:25696511 阅读:38 留言:0更新日期:2020-09-18 21:08
一种半导体器件,包括集成电路和电容式压力传感器,该电容式压力传感器设置在集成电路之上并且与集成电路电连接。电容式压力传感器包括:第一电极;空腔,其位于第一电极之上;以及第二电极,其包括位于空腔之上的悬浮膜。第二电极还包括横向围绕空腔的导电锚槽。锚槽包括内锚槽和外锚槽,其中,外锚槽具有圆角。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有悬浮膜并在锚边缘具有圆角的电容式压力传感器和其他器件
本公开涉及一种具有悬浮膜并在锚边缘具有圆角的电容式压力传感器和其他器件。
技术介绍
压力传感器,例如微机电系统(MEMS)传感器,具有许多应用。这些传感器能够用于例如汽车、消费、工业、医疗和其他应用。例如,在MEMS传感器中,压力能够通过由外部压力引起的膜的挠曲来测量。然而,大的挠曲或温差能够在传感器中引起显著的非线性,这可能在各种应用中带来挑战。膜和压力传感器的准确且可重复的制造工艺能够在温度和压力的一定范围内实现更准确的压力读数。一些电容式压力传感器包括钨膜。然而,已知钨膜具有高拉伸应力,这可能导致裂纹和膜破裂。因此,能够减少应力并帮助避免对膜的损坏的改进的技术和结构是需要的。
技术实现思路
本公开描述了能够减少应力并帮助避免对电容式压力传感器或其它器件的悬浮膜的损坏的技术和结构。例如,一方面,本公开描述了一种半导体器件,其包括:第一电极;空腔,其位于第一电极之上;以及第二电极,其包括位于空腔之上的悬浮膜。第二电极还包括横向围绕空腔的导电锚本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件,包括:/n第一电极;/n空腔,其位于所述第一电极之上;以及/n第二电极,其包括位于所述空腔之上的悬浮膜,所述第二电极还包括横向围绕所述空腔的导电锚槽,/n其中,所述锚槽包括内锚槽和外锚槽,所述外锚槽具有圆角。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171117 US 62/587,5081.一种半导体器件,包括:
第一电极;
空腔,其位于所述第一电极之上;以及
第二电极,其包括位于所述空腔之上的悬浮膜,所述第二电极还包括横向围绕所述空腔的导电锚槽,
其中,所述锚槽包括内锚槽和外锚槽,所述外锚槽具有圆角。


2.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述外锚槽的圆角具有至少40pm的半径。


3.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述内锚槽具有基本上呈直角的拐角。


4.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述内锚槽具有圆角,并且其中,所述外锚槽的圆角的半径是所述内锚槽的圆角的半径的至少两倍。


5.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述外锚槽的圆角具有至少5pm的半径。


6.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述导电锚槽还包括一个或更多个中间锚槽,所述中间锚槽设置在所述内锚槽与所述外锚槽之间。


7.根据权利要求6所述的半导体器件,其中,所述中间锚槽中的一个或更多个具有圆角。


8.根据权利要求7所述的半导体器件,其中,氧化物支撑层将所述导电锚槽中的相邻锚槽彼此分开。


9.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述膜具有矩形形状。


10.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述膜和所述锚槽中都具有非矩形形状。


11.根据权利要求1至10中的任一项所述的半导体器件,其中,所述悬浮膜由钨构成。


12.一种半导体器件,包括:
集成电路;以及
电容式压力传感器,其设置在所述集成电路之上并且与所述集成电路电连接,其中,所述电容式压力传感器包括:...

【专利技术属性】
技术研发人员:威廉·弗雷德里克·阿德里亚努斯·贝斯林卡斯·范德阿福尔特瑞曼科·亨里克斯·威廉姆斯·皮内伯格奥拉夫·文尼肯耶格·西格特亚历山大·费斯
申请(专利权)人:希奥检测有限公司
类型:发明
国别省市:荷兰;NL

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