双结深光电二极管制造技术

本实用新型专利技术涉及双结深光电二极管，低掺杂的N型高阻硅衬底上设有高掺杂P型硅层，形成PN结，低掺杂的N型高阻硅衬底外环为高掺杂N型硅环，低掺杂的N型高阻硅衬底、高掺杂P型硅层、高掺杂N型硅环上沉积凹凸状碳纳米层；二极管硅晶片四角设有方形接触孔，与碳纳米层凸起处连通。本实用新型专利技术的双结深光电二极管，浅结和深结的结深分别为4μm和1.5μm，光谱峰值14000Å和4650Å，光谱响应灵敏度高。

【技术实现步骤摘要】
双结深光电二极管
本技术涉及半导体功率器件，特别涉及一种双结深光电二极管。
技术介绍
光电二极管是一种将光能转换为电能的半导体器件，基于PN结的光伏效应工作。光电二极管主要用于可见光及红外光谱区，通常在反偏置条件下工作，也可以用在零偏置状态。光电二极管在光照时产生光电流，无光照时，和普通二极管一样，其反向电流很小，称为暗电流；有光照时，反向电流迅速增大到几十微安，称为亮电流。光的强度越大，反向电流也越大。光电二极管的结深影响其对特定波长的吸收效果，相比单结深光电二极管，双结深光电二极管具有两个光谱峰值，具有更高的灵敏度。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种双结深光电二极管。为实现上述技术目的，本技术采用如下技术方案：一种双结深光电二极管，低掺杂的N型高阻硅衬底上设有高掺杂P型硅层，形成PN结，低掺杂的N型高阻硅衬底外环为高掺杂N型硅环，低掺杂的N型高阻硅衬底、高掺杂P型硅层、高掺杂N型硅环上沉积凹凸状碳纳米层；二极管硅晶片四角设有方形接触孔，与碳纳米层凸起处连通。作为本技术的进一步改进，所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种双结深光电二极管，低掺杂的N型高阻硅衬底上设有高掺杂P型硅层，形成PN结，低掺杂的N型高阻硅衬底外环为高掺杂N型硅环，其特征在于，低掺杂的N型高阻硅衬底、高掺杂P型硅层、高掺杂N型硅环上沉积凹凸状碳纳米层；二极管硅晶片四角设有方形接触孔，与碳纳米层凸起处连通。/n

【技术特征摘要】
1.一种双结深光电二极管，低掺杂的N型高阻硅衬底上设有高掺杂P型硅层，形成PN结，低掺杂的N型高阻硅衬底外环为高掺杂N型硅环，其特征在于，低掺杂的N型高阻硅衬底、高掺杂P型硅层、高掺杂N型硅环上沉积凹凸状碳纳米层；二极管硅晶片四角设有方形接触孔，与碳纳米层凸起处连通。


2.根据权利要求1所述的双结深光电二极管，其特征在于，所述凹凸状碳纳米层在低掺杂的N型高阻硅衬底覆盖处凸起。


3.根据权利要求1所述的双结深光电二极管，其特征在于，所述高掺杂P型硅层和高掺杂N型硅环横向距离，即凹凸状碳纳米层在低掺杂的N型高阻硅衬底覆盖处宽度为50μm。


4.根据权利要求1所述的双结深光电二极管，其特征在于，所述高掺杂N型硅环宽度为75μm；所述碳纳米层与高掺杂N型硅环重叠宽度为35μm。


5.根据权利要求1所述的双结深光电二极管，其特征在于，所述二极管硅晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔峰敏，
申请(专利权)人：傲迪特半导体南京有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32