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本实用新型涉及双结深光电二极管，低掺杂的N型高阻硅衬底上设有高掺杂P型硅层，形成PN结，低掺杂的N型高阻硅衬底外环为高掺杂N型硅环，低掺杂的N型高阻硅衬底、高掺杂P型硅层、高掺杂N型硅环上沉积凹凸状碳纳米层；二极管硅晶片四角设有方形接触孔，...
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