【技术实现步骤摘要】
本专利技术有关于一种检测系统与方法,且特别有关于一种。
技术介绍
光电及半导体产业所使用的化学物质种类甚多,且部分深具危险性和有害性,但却可能因意外而发生气体泄漏,进而对晶片制造生产与从业人员健康造成伤害。为了避免危害性气体泄漏对晶片制造所产生的伤害,光电及半导体厂皆大量使用气体监测器。目前常用的气体传感器,可分为触媒燃烧型气体传感器、半导体吸附型气体传感器、场效晶体管型气体传感器、电化学式气体传感器等等。然而,使用大量的气体传感器固然可以监控气体泄漏的发生,但偶尔却会产生误警(False Alarm)事件,亦即某些气体泄漏情况虽在可控制范围内,但气体传感器仍会发出警示,此误警事件也造成了许多非必要性的生产损失。因此,如何能够准确检测这些危害性的过程气体与尾气泄漏事件并掌握泄漏的来源,以避免非必要的监测器误警损失,便成了现代晶片厂的一个重要课题。
技术实现思路
基于所述目的,本专利技术实施例公开了一种过程气体泄漏源检测系统,其包括一数据服务器、一开放路径式FTIR(傅立叶转换红外光谱仪)检测系统、一多采样孔与抽气式FTIR检测系统、一IR(红外光谱仪)监测系统、一 ...
【技术保护点】
一种过程气体泄漏源检测系统,其适用于一制造厂的过程控制,包括:一数据服务器;一开放路径式傅立叶转换红外光谱仪检测系统,其设置于所述制造厂的回风处,用以检测泄漏气体,并且通过一通信网络将检测所得的气体成份信息传送至所述数据服务 器;一多采样孔与抽气式傅立叶转换红外光谱仪检测系统,其设置于所述制造厂内,用以利用设置于所述制造厂内的不同区域的管线收集并检测泄漏气体,并且通过所述通信网络将检测所得的气体成份信息传送至所述数据服务器;一红外光谱仪监测系统, 用以通过所述通信网络自所述数据服务器取得所述气体成份信息;以及一过程 ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:吕建豪,颜绍仪,施惠雅,游生任,
申请(专利权)人:财团法人工业技术研究院,
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。