封装结构及其成型方法技术

本发明专利技术揭示了一种封装结构及其成型方法，封装结构包括至少一芯片、重布线堆叠层、金属柱及外部引脚，芯片具有若干电极；重布线堆叠层连接芯片，重布线堆叠层包括至少一绝缘层及至少一重布线层，重布线层连通若干电极；金属柱连通重布线层；外部引脚通过金属柱连通重布线层。本发明专利技术的封装结构的重布线层及外部引脚之间通过金属柱实现连接，一方面，可提高信号传输的可靠性及线路的延展性，进而大大提高封装结构的电学性能、可靠性及散热性能，另一方面，金属柱可用于确定外部引脚的设置位置，便于外部引脚的成型，可简化工艺，再一方面，金属柱外观特征明显，可在后续的分析检测阶段供识别参考。

【技术实现步骤摘要】
封装结构及其成型方法
本专利技术涉及半导体封装领域，尤其涉及一种封装结构及其成型方法。
技术介绍
随着电子产品多功能化和小型化的潮流，高密度微电子组装技术在新一代电子产品上逐渐成为主流。为了配合新一代电子产品的发展，尤其是智能手机、掌上电脑、超级本等产品的发展，芯片的尺寸向密度更高、速度更快、尺寸更小、成本更低等方向发展。扇出型晶圆级芯片封装技术(Fan-outWaferLevelChipScalePackaging，FOWLCSP)的出现，满足了芯片产品尺寸更薄、节省材料等特点，但是如何提高扇出型圆片级封装产品的可靠性和电学性能成为需要研究的方向。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种可以提高封装结构可靠性和电学性能的封装结构及其成型方法。为实现上述专利技术目的之一，本专利技术一实施方式提供一种封装结构，包括：至少一芯片，所述芯片具有若干电极；连接所述芯片的重布线堆叠层，所述重布线堆叠层包括至少一绝缘层及至少一重布线层，所述重布线层连通若干电极；金属柱，所述金属柱连通所述重布线本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：/n至少一芯片，所述芯片具有若干电极；/n连接所述芯片的重布线堆叠层，所述重布线堆叠层包括至少一绝缘层及至少一重布线层，所述重布线层连通若干电极；/n金属柱，所述金属柱连通所述重布线层；/n外部引脚，所述外部引脚通过所述金属柱连通所述重布线层。/n

【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：
至少一芯片，所述芯片具有若干电极；
连接所述芯片的重布线堆叠层，所述重布线堆叠层包括至少一绝缘层及至少一重布线层，所述重布线层连通若干电极；
金属柱，所述金属柱连通所述重布线层；
外部引脚，所述外部引脚通过所述金属柱连通所述重布线层。


2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述重布线层为铜层，所述金属柱为铜柱，所述外部引脚为植球。


3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括塑封层，所述塑封层包覆所述芯片、所述重布线堆叠层及所述金属柱，所述外部引脚至少部分凸伸出所述塑封层。


4.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述绝缘层与所述塑封层具有不同的参数，所述参数包括热膨胀系数、延伸率、透明度、厚度的至少其中之一。


5.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述绝缘层的厚度范围为5～20um，所述绝缘层的热膨胀系数范围为30～70ppm/K，所述塑封层的厚度范围为15～100um，所述塑封层的热膨胀系数范围为7～20ppm/K，所述绝缘层的延伸率高于所述塑封层的延伸率，且所述绝缘层的透明度高于所述塑封层的透明度。


6.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述塑封层包括相连的第一塑封层及第二塑封层，所述第一塑封层至少包覆所述芯片，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：林耀剑，
申请(专利权)人：江苏长电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32