具有带有负间距的引线的半导体封装制造技术

一种模制半导体封装包括：模制化合物；具有嵌入模制化合物中的第一端和从模制化合物的侧面突出的第二端的多个引线；以及嵌入模制化合物中并在模制化合物内电连接到多个引线的半导体管芯。多个引线中的每个引线的第二端具有底表面，该底表面与模制化合物的底部主表面面向相同的方向。多个引线中的每个引线的底表面与模制化合物的底部主表面共面或设置于模制化合物的底部主表面上方的平面中，使得多个引线中没有引线延伸至模制化合物的底部主表面下方。

【技术实现步骤摘要】
具有带有负间距的引线的半导体封装
技术介绍
诸如DSO(双侧小外形)、QFP(四侧扁平封装)、SOP(小外形封装)(例如SSOP(缩小的小外形封装)和TSOP(薄型SOP))等的带引线半导体封装典型地具有正间距(standoff)，即，模制封装体底部和封装引线底部之间的距离在大约0到200μm的范围内，使得引线与模制封装体的底部处于相同平面中或更低的平面中。正间距公差与引线的弯折工艺有关。总封装高度的公差包括可高达大约200μm的引线的正间距公差，例如在DSO带引线封装的情况下，总封装高度的公差典型为大约300μm或甚至更大。对于顶侧冷却应用而言，常规上通过增大热界面材料的厚度来补偿封装的总高度公差，该热界面材料用于使模制封装体的顶侧与冷却区域(例如包封电路板上的半导体封装的外壳)的底侧热接触。然而，使用更厚的热界面材料增大了模制封装体的顶侧和冷却区域之间的热路径的热阻。因此，需要一种改进的模制半导体封装，其具有更低的总高度公差并且从而具有更薄的热界面材料。
技术实现思路
根据模制半导体封装的实施例，该模制半导体封装包括：模制化合物；多个引线，多本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种模制半导体封装，包括：/n模制化合物；/n多个引线，所述多个引线中的每个引线具有嵌入所述模制化合物中的第一端和从所述模制化合物的侧面突出的第二端；以及/n半导体管芯，所述半导体管芯嵌入所述模制化合物中并在所述模制化合物内电连接到所述多个引线，/n其中，所述多个引线中的每个引线的所述第二端具有底表面，所述底表面与所述模制化合物的底部主表面面向相同的方向，/n其中，所述多个引线中的每个引线的所述底表面与所述模制化合物的所述底部主表面共面或设置于所述模制化合物的所述底部主表面上方的平面中，使得所述多个引线中没有引线延伸至所述模制化合物的所述底部主表面下方。/n

【技术特征摘要】
20190301 US 16/289,9721.一种模制半导体封装，包括：
模制化合物；
多个引线，所述多个引线中的每个引线具有嵌入所述模制化合物中的第一端和从所述模制化合物的侧面突出的第二端；以及
半导体管芯，所述半导体管芯嵌入所述模制化合物中并在所述模制化合物内电连接到所述多个引线，
其中，所述多个引线中的每个引线的所述第二端具有底表面，所述底表面与所述模制化合物的底部主表面面向相同的方向，
其中，所述多个引线中的每个引线的所述底表面与所述模制化合物的所述底部主表面共面或设置于所述模制化合物的所述底部主表面上方的平面中，使得所述多个引线中没有引线延伸至所述模制化合物的所述底部主表面下方。


2.根据权利要求1所述的模制半导体封装，其中，所述多个引线中的每个引线的所述底表面垂直地从所述模制化合物的所述底部主表面偏移从0.01μm到0.16μm的范围内的距离，使得所述多个引线中的每个引线的所述底表面设置于所述模制化合物的所述底部主表面上方的平面中。


3.根据权利要求1所述的模制半导体封装，其中，所述多个引线中的每个引线在所述模制化合物外部在所述模制化合物的所述底部主表面的方向上向下弯折。


4.根据权利要求1所述的模制半导体封装，其中，所述多个引线的第一子集的引线的所述第二端从所述模制化合物的第一侧面突出，并且其中，所述多个引线的第二子集的引线的所述第二端从所述模制化合物的与所述第一侧面相对的第二侧面突出。


5.根据权利要求1所述的模制半导体封装，其中，所述模制半导体封装的主要热路径包括在所述模制化合物的与所述模制化合物的所述底部主表面相对的顶部主表面处的暴露的焊盘。


6.一种半导体组件，包括：
电路板；
模制半导体封装，所述模制半导体封装在所述电路板上并且包括：
模制化合物，所述模制化合物具有面向所述电路板的底部主表面和与所述底部主表面相对的顶部主表面；
多个引线，所述多个引线中的每个引线具有嵌入所述模制化合物中的第一端、和从所述模制化合物的侧面突出并附接到所述电路板的第一主表面的第二端；以及
半导体管芯，所述半导体管芯嵌入所述模制化合物中并在所述模制化合物内电连接到所述多个引线，
其中，所述多个引线中的每个引线的所述第二端具有面向所述电路板的底表面，
其中，所述多个引线中的每个引线的所述底表面与所述模制化合物的所述底部主表面共面或设置于所述模制化合物的所述底部主表面上方的平面中，使得所述多个引线中没有引线被定位成比所述模制化合物更接近所述电路板；
冷却结构，所述冷却结构设置于所述模制化合物的所述顶部主表面之上；以及
热界面材料，所述热界面材料填充所述模制化合物的所述顶部主表面和所述冷却结构之间的间隙。


7.根据权利要求6所述的半导体组件，其中，所述多个引线中的每个引线的所述第二端通过焊料附接到所述电路板的所述第一主表面，并且其中，所述半导体组件的总高度公差包括所述模制化合物的所述顶部主表面和所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：T·施特克，D·阿勒斯，S·马海因尔，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE