【技术实现步骤摘要】
布线结构及其制造方法
本公开涉及一种布线结构和一种制造方法，且涉及一种包含通过中间层附接或接合在一起的至少两个导电结构的布线结构，以及一种制造所述布线结构的方法。
技术介绍
随着电子行业的快速发展以及半导体处理技术的进展，半导体芯片与增大数量的电子组件集成以实现改进的电性能和额外功能。因此，半导体芯片具备更多的输入/输出(input/output,I/O)连接。为了制造包含具有增大数量的I/O连接的半导体芯片的半导体封装，可用于承载半导体芯片的半导体衬底的电路层的尺寸可能对应地增加。因此，半导体衬底的厚度和翘曲可能相应地增加，并且半导体衬底的良率可能降低。
技术实现思路
在一些实施例中，一种布线结构(wiringstruture)包含：(a)上部导电结构，其包含至少一个上部介电层和与所述上部介电层接触的至少一个上部电路层；(b)下部导电结构，其包含至少一个下部介电层和与所述下部介电层接触的至少一个下部电路层；(c)中间层，其设置在所述上部导电结构与所述下部导电结构之间，且将所述上部导电结构和所述下部导电结...
【技术保护点】
1.一种布线结构，其包括：/n上部导电结构，其包含至少一个上部介电层和与所述上部介电层接触的至少一个上部电路层；/n下部导电结构，其包含至少一个下部介电层和与所述下部介电层接触的至少一个下部电路层；/n中间层，其设置在所述上部导电结构与所述下部导电结构之间，且将所述上部导电结构和所述下部导电结构接合在一起；以及/n至少一个下部穿导孔，其延伸穿过所述下部导电结构的至少一部分和所述中间层，且电连接到所述上部导电结构的所述上部电路层。/n
【技术特征摘要】
20190228 US 16/289,1561.一种布线结构，其包括：
上部导电结构，其包含至少一个上部介电层和与所述上部介电层接触的至少一个上部电路层；
下部导电结构，其包含至少一个下部介电层和与所述下部介电层接触的至少一个下部电路层；
中间层，其设置在所述上部导电结构与所述下部导电结构之间，且将所述上部导电结构和所述下部导电结构接合在一起；以及
至少一个下部穿导孔，其延伸穿过所述下部导电结构的至少一部分和所述中间层，且电连接到所述上部导电结构的所述上部电路层。
2.根据权利要求1所述的布线结构，其中所述上部导电结构包含多个上部介电层、多个上部电路层和至少一个内部导孔，所述多个上部介电层包含所述上部介电层，所述多个上部电路层包含所述上部电路层，所述至少一个内部导孔设置在所述上部电路层中的两个邻近上部电路层之间以电连接所述上部电路层中的所述两个邻近上部电路层，所述内部导孔向上逐渐变窄，且所述下部穿导孔向上逐渐变窄。
3.根据权利要求1所述的布线结构，其中所述上部导电结构包含多个上部介电层、多个上部电路层和至少一个内部导孔，所述多个上部介电层包含所述上部介电层，所述多个上部电路层包含所述上部电路层，所述至少一个内部导孔设置在所述上部电路层中的两个邻近上部电路层之间以电连接所述上部电路层中的所述两个邻近上部电路层，所述内部导孔的逐渐变窄方向与所述下部穿导孔的逐渐变窄方向相同。
4.根据权利要求1所述的布线结构，其中所述上部导电结构的所述上部介电层的材料和所述中间层的材料是透明的。
5.根据权利要求1所述的布线结构，其中所述下部导电结构包含多个堆叠的下部介电层，其包含所述下部介电层，所述下部介电层中的每一个界定具有内表面的通孔，所述中间层界定具有内表面的通孔，且所述中间层的所述通孔的所述内表面和所述下部介电层的所述通孔的所述内表面彼此共面。
6.根据权利要求1所述的布线结构，其中所述下部导电结构包含多个堆叠的下部介电层，其包含所述下部介电层，所述下部介电层中的每一个界定通孔，所述中间层界定通孔，且所述中间层的所述通孔和所述下部介电层的所述通孔共同地界定用于容纳所述下部穿导孔的单个通孔。
7.根据权利要求1所述的布线结构，其中所述下部介电层界定通孔，其包含具有第一尺寸的顶部部分，且所述中间层界定通孔，其包含具有第二尺寸的底部部分，所述第二尺寸大体上等于所述第一尺寸。
8.根据权利要求1所述的布线结构，其中所述下部穿导孔延伸以接触所述上部导电结构的一部分。
9.根据权利要求1所述的布线结构，其中所述上部电路层是所述上部导电结构的最底部电路层，且所述下部穿导孔接触所述上部导电结构的所述最底部电路层。
10.根据权利要求1所述的布线结构，其中所述下部穿导孔是整体式结构。
11.根据权利要求1所述的布线结构，其中所述下部穿导孔的周围表面是连续表面。
12.根据权利要求1所述的布线结构，其中所述中间层具有顶面和底面，且所述中间层的整个所述顶面和整个所述底面是大体上平坦的。
13.根据权利要求1所述的布线结构，其中所述上部导电结构包含多个上部介电层，其包含所述上部介电层，所述上部导电结构的所述上部介电层中的两个邻近上部介电层之间的接合力大于所述上部导电结构的所述上部介电层中的最底部上部介电层与所述中间层之间的接合力。
14.根据权利要求1所述的布线结构，其中所述上部导电结构包含多个上部介电层，其包含所述上部介电层，所述上部导电结构的所述上部介电层中的两个邻近上部介电层之间的边界的表面粗糙度大于所述上部导电结构的所述上部介电层中的最底部上部介电层与所述中间层之间的边界的表面粗糙度。
15.根据权利要求1所述的布线结构，其中所述下部导电结构的所述下部电路层的线距大于所述上部导电结构的所述上部电路层的线距。
16.根据权利要求1所述的布线结构，其进一步包括：
至少一个上部穿导孔，其延伸穿过所述上部导电结构的至少一部分和所述中间层，且电连接到所述下部导电结构的所述下部电路层。
17.根据权利要求16所述的布线结构，其中所述上部导电结构包含多个上部介电层、多个上部电路层和至少一个内部导孔，所述多个上部介电层包含所述上部介电层，所述多个上部电路层包含所述上部电路层，所述至少一个内部导孔设置在所述上部电路层中的两个邻近上部电路层之间以电连接所述上部电路层中的所述两个邻近上部电路层，所述内部导孔向上逐渐变窄，且所述上部穿导孔向下逐渐变窄。
18.根据权利要求16所述的布线结构，其中所述上部导电结构包含多个上部介电层、多个上部电路层和至少一个内部导孔，所述多个上部介电层包含所述上部介电层，所述多个上部电路层包含所述上部电路层，所述至少一个内部导孔设置在所述上部电路层中的两个邻近上部电路层之间以电连接所述上部电路层中的所述两个邻近上部电路层，所述内部导孔的逐渐变窄方向不同于所述下部穿导孔的逐渐变窄方向。
19.根据权利要求16所述的布线结构，其中所述上部导电结构包含多个堆叠的上部介电层，其包含所述上部介电层，所述上部介电层中的每一个界定具有内表面的通孔，所述中间层界定具有内表面的通孔，且所述中间层的所述通孔的所述内表面和所述上部介电层的所述通孔的所述内表面彼此共面。
20.根据权利要求16所述的布线结构，其中所述上部导电结构包含多个堆叠的上部介电层，其包含所述上部介电层，所述上部介电层中的每一个界定通孔，所述中间层界定通孔，且所述中间层的所述通孔和所述上部介电层的所述通孔共同地界定用于容纳所述上部穿导孔的单个通孔。
21.根据权利要求16所述的布线结构，其中所述上部介电层...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄文宏，卓晖雄，陈朝阳，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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