【技术实现步骤摘要】
薄膜体声波谐振器制作方法、薄膜体声波谐振器及滤波器
本专利技术涉及声波谐振器及滤波器
，尤其涉及一种薄膜体声波谐振器制作方法、薄膜体声波谐振器及滤波器。
技术介绍
随着移动通信技术的迅速发展，传统的声波滤波器已难以满足高频、高性能的要求，薄膜体声波滤波器以其高频段、大带宽、小体积小、低插入损耗和高品质因子等优点，已逐步被广泛应用于手机、Wifi、移动终端等领域。其中，薄膜体声波滤波器中的主要部件为薄膜体声波谐振器，薄膜体声波谐振器的的基本结构为三明治结构，依次为上电极、压电薄膜和下电极，通过利用压电薄膜的逆压电效应，对外界的电激励产生一定频率的谐振，其核心技术主要包括：压电薄膜工艺、电极工艺、空气腔工艺以及牺牲层工艺，制备流程为：依次在硅衬底上进行空气腔刻蚀、沉积牺牲层、牺牲层平坦化、制备底电极、制备压电薄膜、制备顶电极、牺牲层释放，其中，制备出的牺牲层的质量的高低会影响薄膜体声波谐振器的性能，例如牺牲层的平坦化程度直接影响压电薄膜的质量，进而会影响薄膜体声波谐振器的性能，不能保证薄膜体声波谐振器的可靠性和成品...
【技术保护点】
1.一种薄膜体声波谐振器制作方法，其特征在于，包括：/n在衬底基片(100)的上表面制备压电薄膜(101)；/n在所述压电薄膜(101)的上表面制备金属顶电极(102)，并对所述金属顶电极(102)进行图形化；/n在所述压电薄膜(101)的上表面制备临时晶圆键合介质层(103)，其中，所述临时晶圆键合介质层(103)完全覆盖图形化的所述金属顶电极(102)；/n通过临时键合工艺在所述临时晶圆键合介质(103)的上表面黏结第一载片晶圆(200)；/n去除所述衬底基片(100)，并对所述压电薄膜(101)进行图形化；/n在所述压电薄膜(101)的下表面制备金属底电极(104)，...
【技术特征摘要】
1.一种薄膜体声波谐振器制作方法，其特征在于，包括：
在衬底基片(100)的上表面制备压电薄膜(101)；
在所述压电薄膜(101)的上表面制备金属顶电极(102)，并对所述金属顶电极(102)进行图形化；
在所述压电薄膜(101)的上表面制备临时晶圆键合介质层(103)，其中，所述临时晶圆键合介质层(103)完全覆盖图形化的所述金属顶电极(102)；
通过临时键合工艺在所述临时晶圆键合介质(103)的上表面黏结第一载片晶圆(200)；
去除所述衬底基片(100)，并对所述压电薄膜(101)进行图形化；
在所述压电薄膜(101)的下表面制备金属底电极(104)，并对所述金属底电极(104)进行图形化；
在图形化的所述压电薄膜(101)的下表面制备永久晶圆键合介质层(105)，其中，所述永久晶圆键合介质层(105)完全覆盖图形化的所述金属底电极(104)；
在所述永久晶圆键合介质层(105)的下表面永久键合设有凹槽结构(301)的第二载片晶圆(300)，其中，所述凹槽结构(301)的开口与所述永久晶圆键合介质层(105)的下表面贴合；
去除所述第一载片晶圆(200)和所述临时晶圆键合介质层(103)，得到薄膜体声波谐振器。
2.根据1所述的一种薄膜体声波谐振器制作方法，其特征在于，所述通过临时键合工艺在所述临时晶圆键合介质(103)的上表面黏结第一载片晶圆(200)，包括：
通过设置好键合参数的临时键合工艺在所述临时晶圆键合介质(103)的上表面黏结第一载片晶圆(200)，其中，所述键合参数包括：键合温度为150～450℃，键合压力为1KN～6KN。
3.根据权利要求1或2所述的一种薄膜体声波谐振器制作方法，其特征在于，所述去除所述衬底基片(100)之后，还包括：
通过化学机械抛光的方式对所述压电薄膜(101)的下表面进行抛光处理。
4.根据权利要求1或2所述的一种薄膜体声波谐振器制作方法，其特征在于，所述在衬底基片(100)的上表面制备压电薄膜(101)，包括：
分别通过离子注入工艺、化学气相沉积技术、磁控溅射技术，或者通过磁控溅射技术与化学气相沉积技术相结合的方式，在所述衬底基片(100)的上表面制备厚度为500nm～10μm的所述压电薄膜(101)。
5.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：董鹏，张智欣，边旭明，段斌，王琦，
申请(专利权)人：北京航天微电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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