【技术实现步骤摘要】
体声波谐振器、半导体器件、质量负载制作方法及电子设备
本专利技术的实施例涉及半导体领域，尤其涉及一种体声波谐振器，一种具有该谐振器的半导体器件，一种具有该谐振器或者该半导体器件的电子设备，以及一种用于体声波谐振器的质量负载的制作方法。
技术介绍
随着滤波器和多工器产品性能要求越来越高，产品设计对质量负载(massload)的多样化及精确度要求亦越来越高。已知的质量负载制作方法均存在有各自的不足。制作方法一：通过多次沉积得到多种质量负载。此种方法得到的质量负载受薄膜沉积的工艺波动影响较大，片内及片间一致性及精确度越来越难以满足高产品规格下高良率的要求。制作方法二：通过多次修整(trim，用粒子束轰击，例如用氩气对目标表面进行轰击)得到多种质量负载。相对方法一，此种方法的片内及片间一致性及精确度较高，可以满足高产品规格下高良率的要求。但是此种方法制作过程复杂，需多次前后测试和修整的循环才能达到最终结果。制作方法三：通过一次性沉积实现多种不同占空比质量负载的形式得到多种质量负载。
【技术保护点】
1.一种体声波谐振器，包括：/n基底；/n声学镜；/n底电极；/n顶电极；/n压电层，设置在底电极与顶电极之间，/n其中：/n所述声学镜、底电极、顶电极和压电层在谐振器的厚度方向上的重叠区域构成谐振器的有效区域；且/n所述谐振器的上表面在有效区域内设置有质量负载阵列，所述质量负载阵列中的质量负载包括由下而上设置的第一材料层和第二材料层，所述第一材料层的材料不同于第二材料层的材料。/n
【技术特征摘要】
1.一种体声波谐振器，包括：
基底；
声学镜；
底电极；
顶电极；
压电层，设置在底电极与顶电极之间，
其中：
所述声学镜、底电极、顶电极和压电层在谐振器的厚度方向上的重叠区域构成谐振器的有效区域；且
所述谐振器的上表面在有效区域内设置有质量负载阵列，所述质量负载阵列中的质量负载包括由下而上设置的第一材料层和第二材料层，所述第一材料层的材料不同于第二材料层的材料。
2.根据权利要求1所述的谐振器，其中：
所述质量负载阵列为规律均匀阵列。
3.根据权利要求1所述的谐振器，其中：
所述谐振器还设置有钝化层，所述第一材料层与所述钝化层一体形成。
4.根据权利要求1所述的谐振器，其中：
第一材料层的材料为介质材料，第二材料层的材料为金属材料；或者
第一材料层的材料和第二材料层的材料均为金属材料；或者
第一材料层的材料为金属材料而第二材料层的材料为介质材料。
5.根据权利要求1所述的谐振器，其中：
第一材料层的厚度不同于第二材料层的厚度。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的谐振器，其中：
所述质量负载为柱状质量负载。
7.根据权利要求6所述的谐振器，其中：
所述质量负载中，第一材料层的外周面与第二材料层的外周面齐平。
8.根据权利要求6所述的谐振器，其中：
所述质量负载中，第一材料层的外周与第二材料层的外周不齐平。
9.一种半导体器件，包括：
多个体声波谐振器，所述多个体声波谐振器包括至少一个根据权利要求1-8中任一项所述的体声波谐振器。
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中：
所述多个体声波谐振器至少包括第一谐振器和第二谐振器，第一谐振器和第二谐振器均为根据权利要求1-8中任一项所述的体声波谐振器，且第一谐振器的质量负载的质量不同于第二谐振器的质量负载的质量。
11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中：
第一谐振器的质量负载的占空比不同于第二谐振器的质量负载的占空比。
12.根据权利要求10所述的半导体器件，其中：
第一谐振器的质量负载的凸出高度不同于第二谐振器的质量负载的凸出高度。
13.根据权利要求10-12中任一项所述的半导体器件，其中：
第一谐振器的质量负载的第一材料层的厚度不同于第二谐振器的质量负载的第一材料层的厚度；和/或
第一谐振器的质量负载的第二材料层的厚度不同于第二谐振器的质量负载的第二材料层的厚度。
14.根据权利要求10-12中任一项所述的半导体器件，其中：
在所述半导体器件的纵截面中，第一谐振器的对应质量负载的截面形状不同于第二谐振器的对应质量负载的截面形状。
15.根据权利要求10所述的半导体器件，其中：
所述半导体器件为滤波器或多工器。
16.一种用于体声波谐振器的质量负载制作方法，包括：
步骤s1：提供体声波谐振器，体声波谐振器的上表面设置有修整处理层以及设置在修整处理层上的初始质量负载；和
步骤s2：利用修整工艺刻蚀初始质量负载和修整处理层，以形成双层质量负载。
17.根据权利要求16所述的方法，其中：
在步骤s1中，所述修整处理层由第一材料形成，所述初始质量负载由...
【专利技术属性】
技术研发人员：庞慰，徐洋，
申请(专利权)人：诺思天津微系统有限责任公司，
类型：发明
国别省市：天津;12
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