电迁移测试结构制造技术

本发明专利技术的电迁移测试结构，其在引线的交叠区朝向待测试线的表面上设有若干第二连通垫，从而利用该第二连通垫降低引线与第一连通垫连接处附近区域的局部集中的应力迁移。在对电迁移测试结构进行测试时，即可有效避免引线与第一连通垫连接处附近区域因为应力迁移影响而先于待测试线出现空洞或断裂的问题，进而提高电迁移可靠性评估结果的准确性。

【技术实现步骤摘要】
电迁移测试结构
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种电迁移测试结构。
技术介绍
电迁移现象是指半导体器件中的集成电路工作时金属线内部有电流通过，在电流的作用下金属离子产生物质运输的现象。由此，金属线的某些部位会因该电迁移现象而出现空洞(Void)，进而发生断路，而某些部位会因该电迁移现象而出现小丘(Hillock)，进而造成电路短路。在集成电路工艺开发阶段，可靠性评估是工艺开发是否成功的重要一环，而针对上述电迁移现象的电迁移测试是后段工艺评估中的一项必不可少的测试。参考图1，其示出了现有技术中的电迁移测试结构。该电迁移测试结构包括待测试线1、引线2及第一连通垫3，第一连通垫3用于电性连接待测试线1和引线2。然而，现有技术中，第一连通垫3与引线2连接处附近的应力过于集中，从而在第一连通垫3与引线2连接处附近容易发生应力迁移。进而导致引线2与第一连通垫3的连接处周围容易先于待测试线1出现孔洞A或断裂，最终影响电迁移可靠性评估结果的分析与判断。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种电迁移测试结构，以解决现有技术中引线和第一连通垫相交区域应力迁移较大，导致的引线和第一连通垫相交区域附近先于待测试线出现孔洞或断裂，进而导致垫迁移测试失效的问题。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种电迁移测试结构，包括：待测试线；引线，设置在与所述待测试线不同的结构层中并与所述待测试线电性连接，其中，所述引线的一端用于连接测试垫片，所述引线的另一端朝向所述待测试线的方向延伸，以使所述引线具有与所述待测试线空间交叠的交叠区；第一连通垫，设置在所述引线的所述交叠区中，以连通所述引线和所述待测试线；以及，若干第二连通垫，设置在所述引线的所述交叠区朝向所述待测试线的表面上。优选的，所述第二连通垫的一端与所述引线电连接，所述第二连通垫的另一端与所述待测试线电连接，以连通所述待测试线和所述引线。优选的，所述第二连通垫至少为两个，至少两个所述第二连通垫以所述第一连通垫为中心环绕所述第一连通垫设置。优选的，所述第二连通垫为多个，在远离所述第一连通垫的方向上，多个所述第二连通垫的排布密度逐渐减小。优选的，所述第二连通垫为多个，多个所述第二连通垫均匀设置在所述引线的所述交叠区上。优选的，所述第一连通垫和/或所述第二连通垫的横截面积为矩形或圆形。优选的，所述引线的宽度大于所述待测试线的宽度。优选的，所述引线包括至少两层依次设置的子引线，相邻所述子引线之间夹持至少一个第三连通垫，以使所述第三连通垫连通相邻的所述子引线；所述第二连通垫设置在顶层的所述子引线上。优选的，所述待测试线包括主待测试线及围设所述主待测试线的辅助待测试线，所述第一连通垫位于所述引线和所述主待测试线之间以连通所述引线和所述主待测试线，所述第二连通垫位于所述引线和所述辅助待测试线之间。优选的，所述待测试线包括金属层和绝缘层，所述绝缘层包裹所述金属层，所述绝缘层上设有通孔，所述连通垫穿过所述通孔与所述金属层连接。本实施例的电迁移测试结构，其在引线的交叠区朝向待测试线的表面上设有若干第二连通垫，该第二连通垫对引线和第一连通垫连接处产生的应力进行了分散，从而利用该第二连通垫降低引线与第一连通垫连接处附近区域的应力迁移。如此一来，在对电迁移测试结构进行测试时，即可有效避免引线与第一连通垫连接处附近区域由于局部集中的应力迁移的影响而先于待测试线出现空洞或断裂的问题，大大降低了引线的电迁移现象对电迁移测试结果造成干扰的可能性，进而提高电迁移可靠性评估结果的准确性。附图说明图1是现有技术的一种电迁移测试结构的结构示意图；图2是本专利技术一实施例的电迁移测试结构的结构示意图；图3是本专利技术一实施例的电迁移测试结构的俯视图；图4a是图3中沿AA’方向的剖面示意图；图4b是图3中沿AA’方向的另一剖面示意图；图4c是图3中沿AA’方向的另一剖面示意图；图5a是本专利技术一实施例的电迁移测试结构引线的交叠区上设置第一连通垫和第二连通垫的俯视结构示意图；图5b是本专利技术一实施例的电迁移测试结构引线的交叠区上设置第一连通垫和第二连通垫的俯视结构示意图；图5c是本专利技术另一实施例的电迁移测试结构引线的交叠区上设置第一连通垫和第二连通垫的俯视结构示意图；图5d是本专利技术另一实施例的电迁移测试结构引线的交叠区上设置第一连通垫和第二连通垫的俯视结构示意图；图6是本专利技术另一实施例的电迁移测试结构的俯视结构示意图；图7是图6中沿BB’方向的剖面示意图；附图标记1-待测试线；11-主待测试线；12-辅助待测试线；2-引线；21-子引线；3-第一连通垫；4-第二连通垫；5-第三连通垫；A-孔洞；B-交叠区；具体实施方式以下结合附图和具体实施例对本专利技术提出的电迁移测试结构作进一步详细说明。根据下面说明，本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。此外，附图所展示的结构往往是实际结构的一部分。特别的，各附图需要展示的侧重点不同，有时会采用不同的比例。图2是本专利技术一实施例的电迁移测试结构的结构示意图；图3是本专利技术一实施例的电迁移测试结构的俯视结构示意图；图4a是图3中沿AA’方向的剖面示意图。如图2～图4a所示，本实施例的电迁移测试结构包括待测试线1和设置在与待测试线1不同的结构层中并与待测试线1电性连接的引线2。在本实施例中，待测试线1位于引线2的上方构成上行的电迁移测试结构。在其他实施例中，待测试线1还可以位于引线2的下方形成下行电迁移测试结构。本实施例中，在待测试线1相对的两侧均设置有引线2，以利用相对两侧的两个引线2和待测试线1形成测试回路。继续参图2～图4a所示，在本实施例中，引线2的一端用于连接测试垫片，所述引线2的另一端朝向待测试线1方向延伸，以使引线2具有与待测试线1空间交叠的交叠区B。如图4a所示，该交叠区B包括引线2与待测试线1存在交叠的整个端部。继续参图2～图4a所示，本实施例的电迁移测试结构还包括第一连通垫3和若干第二连通垫4。该第一连通垫3设置在引线2的交叠区B上，以连通引线2和待测试线1。其中，所述第一连通垫3设置在引线2的交叠区B上，以连通引线2和待测试线1。以及，所述第二连通垫4设置在引线2的交叠区B朝向待测试线1的表面上。本实施例的电迁移测试结构，其在引线2的交叠区B朝向待测试线1的表面上设有若干第二连通垫4，该第二连通垫4对引线2和第一连通垫3连接处产生的应力进行了分散，从而利用该第二连通垫4降低引线2与第一连通垫3连接处附近区域的应力迁移。如此一来，在对电迁移测试结构进行测试时，即可有效避免引线2与第一连通垫3连接处附近区域由于局部集中的应力迁移的影响而先于待测试线1出现空洞或断裂的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电迁移测试结构，其特征在于，包括：/n待测试线；/n引线，设置在与所述待测试线不同的结构层中并与所述待测试线电性连接，其中，所述引线的一端用于连接测试垫片，所述引线的另一端朝向所述待测试线的方向延伸，以使所述引线具有与所述待测试线空间交叠的交叠区；/n第一连通垫，设置在所述引线的所述交叠区中，以连通所述引线和所述待测试线；以及，/n若干第二连通垫，设置在所述引线的所述交叠区朝向所述待测试线的表面上。/n

【技术特征摘要】
1.一种电迁移测试结构，其特征在于，包括：
待测试线；
引线，设置在与所述待测试线不同的结构层中并与所述待测试线电性连接，其中，所述引线的一端用于连接测试垫片，所述引线的另一端朝向所述待测试线的方向延伸，以使所述引线具有与所述待测试线空间交叠的交叠区；
第一连通垫，设置在所述引线的所述交叠区中，以连通所述引线和所述待测试线；以及，
若干第二连通垫，设置在所述引线的所述交叠区朝向所述待测试线的表面上。


2.如权利要求1所述的电迁移测试结构，其特征在于，所述第二连通垫的一端与所述引线电连接，所述第二连通垫的另一端与所述待测试线电连接，以连通所述待测试线和所述引线。


3.如权利要求1所述的电迁移测试结构，其特征在于，所述第二连通垫至少为两个，至少两个所述第二连通垫以所述第一连通垫为中心环绕所述第一连通垫设置。


4.如权利要求1所述的电迁移测试结构，其特征在于，所述第二连通垫为多个，在远离所述第一连通垫的方向上，多个所述第二连通垫的排布密度逐渐减小。


5.如权利要求1所述的电迁移测试结构，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：马琼，曹巍，王焱，陈雷刚，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31