高波长一致性的LED芯片用图形化蓝宝石衬底的刻蚀方法技术

本发明专利技术公开了一种高波长一致性LED芯片用图形化蓝宝石衬底的刻蚀方法，包括将涂有光刻胶并曝光、显影的的晶片放入托盘内进行刻蚀，刻蚀完成后再经过检测，获得蓝宝石衬底图形尺寸的分布情况，再对托盘进行调整，对晶片刻蚀速率慢的区域，在其下方的托盘区域镀一层导热系数比托盘本体导热系数高的金属材料；对晶片刻蚀速率快的区域，在其下方的托盘区域镀一层导热系数比托盘本体导热系数低的金属材料，得到调整后的托盘结构。在调整后的托盘上放置晶片并进行刻蚀，得到刻蚀速率均匀的图形化蓝宝石衬底。本发明专利技术能够解决刻蚀机造成的晶片刻蚀图形不一致的问题，可广泛应用于蓝宝石衬底的图形化加工领域。

【技术实现步骤摘要】
高波长一致性的LED芯片用图形化蓝宝石衬底的刻蚀方法
本专利技术涉及蓝宝石衬底加工
，尤其是涉及一种高波长一致性LED芯片用图形化蓝宝石衬底的刻蚀方法。
技术介绍
目前由于5G时代的到来，因其超高速率、超低延时、超高密度等优势，给超高清显示带来特别的发展机遇。在综合LCD、OLED、Mini/Micro-LED各方面性能时，Mini/Micro-LED在低能耗、高亮度、高分辨率等方面具有显著优势，也被称为终极显示技术，是目前LED行业发展最主要方向。所以行业内很多企业纷纷布局Mini/Micro-LED相关产业，正因如此，使得LED产业链中上游图形化蓝宝石衬底(简称PSS)显得尤其关键。传统PSS在尺寸上显然无法和Micro-LED芯片尺寸大小匹配，随之而来PSS尺寸向更微小化迈进，且Micro-LED在芯片转移时数量巨大，对波长一致性要求极高，所以PSS一致性要求是其主要挑战，在其表面刻蚀出纳米级蒙古包图形，但由于刻蚀机本身的缺陷，在刻蚀时晶片内会造成刻蚀速率的差异，这种刻蚀机带来的缺陷，很难通过参数的调整来克服蓝宝石衬底图形化本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高波长一致性LED芯片用图形化蓝宝石衬底的刻蚀方法，其特征在于包括以下步骤：/nS1：在晶片上涂覆一层光刻胶，并曝光、显影形成有胶柱的掩膜；/nS2：准备一刻蚀托盘，刻蚀托盘上用于放置晶片的载片台采用一种材料制得，将晶片固定放置在刻蚀托盘上，并送入刻蚀机内对晶片进行刻蚀，从而在晶片上形成一组图形，获得图形化蓝宝石衬底；/nS3：对获得的图形化蓝宝石衬底进行检测，获得晶片刻蚀速率的分布情况；/nS4：托盘调整，对晶片刻蚀速率慢的区域，在其下方的刻蚀托盘区域镀一层导热系数比托盘本体导热系数高的金属材料；对晶片刻蚀速率快的区域，在其下方的刻蚀托盘区域镀一层导热系数比托盘本体导热系数低的金属材...

【技术特征摘要】
1.一种高波长一致性LED芯片用图形化蓝宝石衬底的刻蚀方法，其特征在于包括以下步骤：
S1：在晶片上涂覆一层光刻胶，并曝光、显影形成有胶柱的掩膜；
S2：准备一刻蚀托盘，刻蚀托盘上用于放置晶片的载片台采用一种材料制得，将晶片固定放置在刻蚀托盘上，并送入刻蚀机内对晶片进行刻蚀，从而在晶片上形成一组图形，获得图形化蓝宝石衬底；
S3：对获得的图形化蓝宝石衬底进行检测，获得晶片刻蚀速率的分布情况；
S4：托盘调整，对晶片刻蚀速率慢的区域，在其下方的刻蚀托盘区域镀一层导热系数比托盘本体导热系数高的金属材料；对晶片刻蚀速率快的区域，在其下方的刻蚀托盘区域镀一层导热系数比托盘本体导热系数低的金属材料；其余位置镀与托盘材料一致的金属，使其平整，得到调整后的托盘结构；
S5：在调整后的托盘上放置晶片并进行刻蚀，得到图形一致性的图形化蓝宝石衬底。


2.如权利要求1所述的高波长一致性LED芯片用图形化蓝宝石衬底的刻蚀方法，其特征在于：所述步骤S4中托盘的具体结构包括托盘本体(1)及与托盘本体(1)相配合用于压住晶片的上盖(2)，所述托盘本体(1)上间隔设置有一组用于放置晶片的载片台(3)，所述晶片上设置有定位凹口，所述载片台(3)的外圈上设置有与单口晶片相适配的凹口(301)，所述载片台(3)的外围还设置有环形凹槽(4)，所述环形凹槽(4)内设置有可上下浮动的定位凸台(5)，所述定位凸台(5)上设置有与凹口(301)相适配的凸起(501)，晶片的定位凹口卡在定位凸台(5)内实现定位。


3.如权利要求2所述的高波长一致性LED芯片用图形化蓝...

【专利技术属性】
技术研发人员：史伟言，徐良，刘建哲，夏建白，张磊，李昌勋，
申请(专利权)人：黄山博蓝特半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34