【技术实现步骤摘要】
基于n-型有机半导体晶体表面台阶缺陷的修复方法及应用
本专利技术属于有机半导体晶体材料领域，涉及基于n-型有机半导体晶体表面台阶缺陷的修复方法及应用。
技术介绍
公开该
技术介绍
部分的信息仅仅旨在增加对本专利技术的总体背景的理解，而不必然被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已经成为本领域一般技术人员所公知的现有技术。21世纪信息时代，半导体集成电路是各行各业实现信息化和智能化的基础，手机、电脑、高铁、工业控制以及尖端军事武器系统等各种电子元件都离不开半导体集成电路。有机半导体由于低成本、易大面积加工、环境友好，以及“轻、薄、小、软”的优势使其在显示和传感器等诸多领域展现出巨大的应用前景而备受学术界和工业界的关注。有机材料电荷传输层作为有机光电器件的核心组成部分，是器件性能的决定因素。其中，有机半导体材料结构缺陷一直是困扰有机电子学发展和制约器件性能的重要因素，高度有序堆积的晶体也不例外。即使是极微量的、区域性的点/线缺陷都会对器件性能产生决定性的影响，不仅阻碍材料本征性能和电荷传输机理的探索，打断堆积结构和器件...
【技术保护点】
1.一种基于n-型有机半导体晶体表面台阶缺陷的修复方法，其特征是，采用掺杂剂对将n-型有机半导体晶体进行化学掺杂，所述掺杂剂为有机胺，所述有机胺的化学结构式如下：/n
【技术特征摘要】
1.一种基于n-型有机半导体晶体表面台阶缺陷的修复方法，其特征是，采用掺杂剂对将n-型有机半导体晶体进行化学掺杂，所述掺杂剂为有机胺，所述有机胺的化学结构式如下：
其中，n＝0、1或2。
2.如权利要求1所述的基于n-型有机半导体晶体表面台阶缺陷的修复方法，其特征是，n＝1。
3.如权利要求1所述的基于n-型有机半导体晶体表面台阶缺陷的修复方法，其特征是，当n-型有机半导体晶体为Cl2-NDI时，掺杂剂的用量为100～150μL；当n-型有机半导体晶体为PDIF-CN2时，掺杂剂的用量为50～60μL；当n-型有机半导体晶体为F2-TCNQ时，掺杂剂的用量为20～30μL。
4.如权利要求1所述的基于n-型有机半导体晶体表面台阶缺陷的修复方法，其特征是，所述化学掺杂的过程为：真空条件下，将掺杂剂加热，使掺杂剂升华，将n-型有机半导体晶体加热至40～50℃，通过载气将升华后的掺杂剂输送至加热的n-型有机半导体晶体进行化学掺杂。
5.如权利要求4所述的基于n-型有机半导体晶体表面台阶缺陷...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。