一种钙钛矿衬底、钙钛矿太阳能电池及其制备方法技术

一种钙钛矿衬底、钙钛矿太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池技术领域。钙钛矿衬底的制备方法包括在基底表面涂覆掺杂了硫化钠的金属氧化物半导体的前驱体溶液形成电子传输层，在电子传输层表面涂覆含铅离子的钙钛矿的前驱体溶液形成钙钛矿层，制得钙钛矿衬底。Na

【技术实现步骤摘要】
一种钙钛矿衬底、钙钛矿太阳能电池及其制备方法
本申请涉及太阳能电池
，具体而言，涉及一种钙钛矿衬底、钙钛矿太阳能电池及其制备方法。
技术介绍
由于钙钛矿材料卓越的光电性能和较低的生产成本，已然成为新一代最具潜力的太阳能电池材料。经过大量科研工作者在组分优化、界面工程和结晶控制等方面的不懈探索，钙钛矿太阳能电池的光电转换效率从3.8％攀升到惊人的25.2％。然而，提升电子传输层(ElectronTransportLayer，ETL)的质量仍旧是获得高效、稳定的钙钛矿太阳能电池的主要挑战之一。在正结构钙钛矿太阳能电池中，电子传输层不仅为电子传输提供通道，还对沉积在电子传输层上的钙钛矿结晶过程产生至关重要的影响。表面修饰和离子掺杂被广泛用于钝化其表面缺陷态、提升电子传输层的导电性，同时钙钛矿材料自身的缺陷以及界面处的非辐射复合也是制约器件性能进一步提升的重要因素。钙钛矿光电器件的效率损失主要由异质界面缺陷的非辐射复合引起的。钙钛矿层与相邻接触层之间的异质界面缺陷对钙钛矿光电器件的性能极其不利。溶液法制备的钙钛矿会不可避免地引起结本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种钙钛矿衬底的制备方法，其特征在于，所述钙钛矿衬底的制备方法包括：在基底表面涂覆金属氧化物半导体的前驱体溶液，第一次热处理形成电子传输层，其中，所述金属氧化物半导体的前驱体溶液掺杂了硫化钠；以及/n在所述电子传输层表面涂覆钙钛矿的前驱体溶液，第二次热处理形成钙钛矿层，制得所述钙钛矿衬底，其中，所述钙钛矿含铅离子；/n可选地，所述第二次热处理包括在100～150℃下保温10～15min。/n

【技术特征摘要】
1.一种钙钛矿衬底的制备方法，其特征在于，所述钙钛矿衬底的制备方法包括：在基底表面涂覆金属氧化物半导体的前驱体溶液，第一次热处理形成电子传输层，其中，所述金属氧化物半导体的前驱体溶液掺杂了硫化钠；以及
在所述电子传输层表面涂覆钙钛矿的前驱体溶液，第二次热处理形成钙钛矿层，制得所述钙钛矿衬底，其中，所述钙钛矿含铅离子；
可选地，所述第二次热处理包括在100～150℃下保温10～15min。


2.根据权利要求1所述的钙钛矿衬底的制备方法，其特征在于，所述金属氧化物半导体为二氧化钛，所述第一次热处理包括先在100～120℃下保温20～30min后，再在400～500℃下保温1～2h。


3.根据权利要求2所述的钙钛矿衬底的制备方法，其特征在于，所述金属氧化物半导体的前驱体溶液通过以下方法制得：
将钛酸四丁酯、盐酸、无水乙醇和硫化钠混合均匀；
其中，所述钛酸四丁酯、所述盐酸和所述无水乙醇的体积比为200～300：20～30：2500～3500；
所述硫化钠与所述钛酸四丁酯的摩尔比为1：50～200；
所述盐酸的质量浓度为30～40％。


4.根据权利要求1所述的钙钛矿衬底的制备方法，其特征在于，所述金属氧化物为二氧化锡，所述第一次热处理包括先在100～120℃下保温20～30min后，再在200～230℃下保温2～3h。


5.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵一英，崔灿，孙昊，廖非易，
申请(专利权)人：中国工程物理研究院材料研究所，
类型：发明
国别省市：四川;51