有机半导体组件制造技术

本发明专利技术涉及具有层系统的有机半导体组件，其中至少一个层包含具有通式(I)或(II)的化合物。

【技术实现步骤摘要】
有机半导体组件本申请是申请日为2014年6月19日、申请号为201480035866.4、专利技术名称为“有机半导体组件”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术涉及有机电子组件，其包括在两个电极之间的至少一个有机层，其中所述有机层包含选自所提出的BODIPY的至少一种化合物。
技术介绍
认为基于低分子量化合物或聚合化合物的有机半导体在电气工业的多个领域中会得到越来越多的使用。有机化学的优点在此是有益的，例如较少的能量密集的可加工性、较好的基底相容性和较大的可能变化。除了普通电子电路之外的有机电子器件的例子为OLED、OPV、光电探测器和OFET。有机电子材料通常分为掺杂剂和独立的半导体。当与基体层一起应用(例如共蒸发)时，掺杂剂改变基体层的电学性能，但是它们自身不需要是半导体。与此相比，有机半导体材料自身已经是半导电的。有机半导体能够在电子组件中实现多种功能，例如电荷传输、辐射吸收或辐射发射，并且可能同时实现一个或更多个功能。另外，已知具有有机活性层和柔性配置的太阳能电池(Konarka–PowerPlasticSe本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体光活性组件，其具有层系统，其中至少一个层是光吸收层，其特征在于所述光吸收层包含具有通式I或II的化合物：/n

【技术特征摘要】
20130625 DE 102013106639.91.一种半导体光活性组件，其具有层系统，其中至少一个层是光吸收层，其特征在于所述光吸收层包含具有通式I或II的化合物：



其中，根据通式I或II的化合物是给体-受体异质结中的给体，
其中R1和R2、和R6和R7在每种情况下一起形成具有选自S、O和N的至少一个杂原子的杂环5元环，或者R1和R2、和R6和R7在每种情况下一起形成没有其他稠合的同素环6元环，
R3和R5独立地为H或选自芳基、烷基、氟化或部分氟化的烷基、不饱和烷基的基团，和R4是氟化或部分氟化的烷基，和
R8和R9独立地选自卤素、烷基、氟化或部分氟化的烷基、烯基、炔基、烷氧基、芳基或杂芳基，
其中由R1和R2、和R6和R7形成的杂环5元环选自下式中的一种：



其中X、Y和Z各自独立地选自O、S和N-R18，其中R18选自H或烷基，和
R10至R17各自独立地选自H、烷基、炔基、烯基、O-烷基、S-烷基、芳基、杂芳基、卤化烷基、和氰化烷基，和
其中由R1和R2、和R6和R7形成的同素环6元环独立地选自式：



其中
R19至R22各自独立地选自H、烷基、炔基、烯基、O-烷基、S-烷基、芳基、杂芳基、卤化烷基、氰化烷基、N(烷基)2和N-环烷基，和
其中*代表与通式I或II的R1、R2、R6或R7的键合位点。


2.根据权利要求1所述的半导体光活性组件，其中X、Y和Z独立地选自O和S。


3.根据权利要求1所述的半导体光活性组件，其中在R10至R17或R19至R22处的芳基或杂芳基基团具有增加芳基或杂芳基的给体特性的其他基团，优选地，所述基团选自烷...

【专利技术属性】
技术研发人员：安德烈·魏斯，迪尔克·希尔德布兰特，奥尔佳·格迪斯，京特·马特斯，
申请(专利权)人：赫里亚泰克有限责任公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE