【技术实现步骤摘要】
一种掺杂荧光材料的背电极和光伏组件及其制备方法
本专利技术属于光伏组件制备
，特别涉及一种掺杂荧光材料的背电极和光伏组件及其制备方法。
技术介绍
自2009年至今，钙钛矿太阳能电池得到了快速发展，其光电转换效率已从3.8%提升至24%以上，显示出巨大商业价值。传统的钙钛矿电池是蒸镀金属做电极，其昂贵的成本以及蒸镀的工艺限制了钙钛矿电池的大规模、低成本、连续化生产，经济稳定的碳电极将是以后钙钛矿电池的发展趋势。不含空穴传输层结构的钙钛矿电池近年来得到了广泛的关注，由于其不但使用了便宜稳定、制备工艺简单的碳电极，还去除了昂贵、合成工艺复杂、稳定性较差的空穴传输层，因此具有较大的潜力。但由于此类结构的碳电池能量转化效率较低，目前最高仅为14%左右，因此无法像含有金属电极的结构具有类似的效率，因此，如何提高此类结构的能量转化效率是目前的研究重点。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于，提供一种掺杂荧光材料的背电极和光伏组件及其制备方法，在背电极中掺杂荧光材料，解决常规使用碳电极作为背电极的...
【技术保护点】
1.一种掺杂荧光材料的背电极，其特征在于，背电极为碳电极，在制备碳电极的碳浆原料中掺杂有荧光材料，荧光材料占碳电极原料中含碳材料总量的0.05wt%~20wt%，荧光材料包括无机荧光材料或有机荧光材料，含碳材料包括炭黑粉、石墨粉或碳纳米管中至少一种。/n
【技术特征摘要】
1.一种掺杂荧光材料的背电极，其特征在于，背电极为碳电极，在制备碳电极的碳浆原料中掺杂有荧光材料，荧光材料占碳电极原料中含碳材料总量的0.05wt%~20wt%，荧光材料包括无机荧光材料或有机荧光材料，含碳材料包括炭黑粉、石墨粉或碳纳米管中至少一种。
2.如权利要求1所述的掺杂荧光材料的背电极，其特征在于，所述无机荧光材料包括钙钛矿量子点材料或无机发光量子点，所述有机荧光材料包括恶二唑及其衍生物类、三唑及其衍生物类、罗丹明及其衍生物类、香豆素类衍生物、1,8-萘酰亚胺类衍生物、吡唑啉衍生物、三苯胺类衍生物、卟啉类化合物、咔唑、吡嗪、噻唑类衍生物、苝类衍生物中任意一种。
3.如权利要求2所述的掺杂荧光材料的背电极，其特征在于，所述荧光材料包括MAPbX3、FAPbX3、CsPbX3、CsSnX3、MA3Bi2X9、Cs3Sb2X9、Cs2AgSbX6、Cs3Bi2X9、CdS、CdSe、Ag2Se、CdTe、CdSeTe/ZnS、CdSe/ZnS、CdS/ZnS、CdSe/CsS、CdSe/ZnSe、CdS/CsS、CdS/ZnSe中任意一种，其中，X为Cl-、Br-或I-。
4.一种如权利要求1至3中任意一项所述的掺杂荧光材料的背电极的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
将质量比为3:1:6的石墨粉、炭黑粉和松油醇混合均匀，在常温下搅拌2h，随后将体积比为10:1的钛酸四异丙酯和冰醋酸加入以上混合体系中，继续搅拌24h后，再向混合体系中加入0.05wt%~20wt%的荧光材料，搅拌均匀后，得到掺杂有荧光材料的碳浆原料，将碳浆原料涂敷或印刷在基底表面，在70℃下干燥0.5h~2h后，冷却至室温即得到背电极。
5.一种光伏组件，其特征在于，其内部结构包括电子传输层、阻挡层、钙钛矿吸光层和背电极，在其内部结构中不含空穴传输层，其中，所述背电极采用如权利要求1至3中任意一项所述的掺杂荧光材料的背电极。
6.一种光伏组件，其特征在于，其内部结构包括电子传输层、阻挡层、背电极和吸光层，在其内部结构中不含空穴传输层，其中，所述背电极使用如权利要求4所述的掺杂荧光材料的背电极的制备方法制备的背电极。
7.一种如权利要求5或6所述的光伏组件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一、在透明导电基底上依次制备电子传输层和阻挡层，在阻挡层上印刷一层掺杂荧光材料的碳浆原料，在70℃下干燥0.5h~2h后，冷却至室温，制成掺杂荧光材料的背电极；
步骤二、在背电极表面制备吸光层，最...
【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：杭州纤纳光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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