【技术实现步骤摘要】
超导转变边沿探测器多层超导薄膜制备方法及探测器
本申请涉及光探测
,特别是涉及一种超导转变边沿探测器多层超导薄膜制备方法及探测器。
技术介绍
超导转变边沿探测器(transitionedgesensor,TES)利用一些物质在温度低于某一值(Tc)时,其电阻率突然转变为零。这种状态称作超导状态,这类物质称为超导体,Tc称作超导体的转变温度。相比较于传统半导体光子探测器,TES具有高量子效率,出色的光子数分辨能力及能量分辨能力,且其暗计数率几乎忽略不计。超导转变边沿探测器广泛的用于天文探测,量子通讯,生物荧光传感等领域。由于其高量子效率,其在光功率计量方面是理想的光功率探测器。其中,能量分辨率是超导边沿转变探测器中非常重要的指标,为达到良好的能量分辨率,超导边沿转变探测器通常工作在极低温区,几十到几百mK左右。目前已知的金属超导转变温度通常几百mK到几K之间,如钛的超导转变温度为390mK,钼超导转变温度为920mK。为在相应温度实现超导转变特性,需借助临近效应,形成超导金属/正常态金属的薄膜层,压低超导薄膜整体
【技术保护点】
1.一种超导转变边沿探测器多层超导薄膜制备方法,其特征在于,包括如下步骤:/n提供超导薄膜层;/n将所述超导薄膜层与金属合金靶材放入磁控溅射室;/n于所述超导薄膜层的表面形成第一薄膜层,所述第一薄膜层为金属合金层。/n
【技术特征摘要】
1.一种超导转变边沿探测器多层超导薄膜制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
提供超导薄膜层;
将所述超导薄膜层与金属合金靶材放入磁控溅射室;
于所述超导薄膜层的表面形成第一薄膜层,所述第一薄膜层为金属合金层。
2.根据权利要求1所述的超导转变边沿探测器多层超导薄膜制备方法,其特征在于,所述第一薄膜层为钯金合金层。
3.一种超导转变边沿探测器多层超导薄膜制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
提供超导薄膜层;
将所述超导薄膜层与金属合金靶材放入磁控溅射室内,于所述超导薄膜层的表面形成第一隔离层;
于所述第一隔离层远离所述超导薄膜层的表面形成第二薄膜层;
所述第一隔离层为金属合金层。
4.根据权利要求3所述的超导转变边沿探测器多层超导薄膜制备方法,其特征在于,所述第一隔离层为钯金合金层,所述第二薄膜层为单一正常态金属薄膜层。
5.根据权利要求2或权利要求4所述的超导转变边沿探测器多层超...
【专利技术属性】
技术研发人员:徐骁龙,李劲劲,王雪深,钟青,徐达,陈建,钟源,曹文会,王仕建,
申请(专利权)人:中国计量科学研究院,
类型:发明
国别省市:北京;11
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