量子位芯片上的倒装芯片集成制造技术

当量子位在第一芯片上形成并且光学透射路径在第二芯片上形成时，形成量子位(量子位)倒装芯片组件。使用焊料凸块接合两个芯片。光学透射路径提供对第一芯片上的量子位的光学访问。

Flip chip integration on qubit chip

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】量子位芯片上的倒装芯片集成
本专利技术涉及芯片制造，并且更具体地，涉及用于量子计算的芯片制造。
技术介绍
集成电路技术包括三维集成电路。一种类型的3D集成电路可以包括两层或更多层有源电子部件，这些有源电子部件垂直堆叠并且与贯穿衬底的通孔和焊料凸块电连接。3D集成电路可以提供许多益处，诸如通过使用硅通孔可以实现较短的连接长度，从而提高了封装密度，减小了占地面积并且提高了带宽。上述3D集成电路可以以任何数目的已知方法来制造。一些3D集成电路可以包括硅中介层，其可以用于在载体与一个或多个顶部芯片之间重定向电路。量子计算使用计算系统来操纵诸如叠加和纠缠等的量子力学现象以实现信息处理。利用冯·诺依曼体系结构的经典计算机处理表示为1或0的二进制数据。在量子计算中，量子位(或"qubit")可以保持0、1的状态或状态的叠加。
技术实现思路
本公开的实施方案可以针对一种用于形成量子位(量子位)倒装芯片组件的方法。量子位可以形成在第一芯片上，并且光学透射路径可以形成在第二芯片上。第一芯片和第二芯片可以被接合。光学透射路径可以位于量子位本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于形成量子位(量子位)倒装芯片组件的方法，所述方法包括：/n在第一芯片上形成量子位；/n在第二芯片中形成光学透射路径；以及/n将所述第一芯片接合到所述第二芯片；以及/n其中所述光学透射路径位于所述量子位之上。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171128 US 15/823,6751.一种用于形成量子位(量子位)倒装芯片组件的方法，所述方法包括：
在第一芯片上形成量子位；
在第二芯片中形成光学透射路径；以及
将所述第一芯片接合到所述第二芯片；以及
其中所述光学透射路径位于所述量子位之上。


2.根据权利要求1所述的方法，其中所述路径具有孔径，所述孔径的直径足够大以允许对所述量子位的处理。


3.根据权利要求1所述的方法，其中所述光学透射路径具有100微米或更小的孔径。


4.根据权利要求1所述的方法，还包括通过穿过所述量子位芯片的与所述第二芯片相对的表面施加激光来对所述量子位进行激光退火。


5.根据权利要求1所述的方法，还包括离子蚀刻所述量子位。


6.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述光学透射路径包括使用高功率激光束来对所述第二芯片进行钻口以在所述第二芯片中形成通孔。


7.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述光学透射路径包括在所述第二芯片中蚀刻通孔。


8.根据权利要求6所述的方法，其中所述蚀刻包括深反应离子蚀刻。


9.根据权利要求6所述的方法，其中所述蚀刻包括化学蚀刻，并且其中所述化学蚀刻是四甲基氢氧化铵(TMAH)蚀刻。

【专利技术属性】
技术研发人员：S·罗森布拉特，J·奥尔卡特，M·桑德贝格，M·布林克，V·亚迪加，N·T·布朗，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：美国;US