使用剥离型ReBCO的超导接头制造技术

根据本发明专利技术的第一方面，提供了一种在ReBCO带之间形成超导接头的方法。提供两个以上各自具有暴露的ReBCO区域的ReBCO带。提供桥，所述桥包括暴露的ReBCO层和在暴露的ReBCO层上的透氧性衬垫。通过在其中氧的分压足够低以使得ReBCO的熔点(T

Superconducting joint using debonding ReBCO

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】使用剥离型ReBCO的超导接头专利
本专利技术涉及高温超导体领域。具体地，本专利技术涉及在ReBCO带之间形成超导接头的方法以及包括这样的接头的超导载流体。背景超导材料通常分为“高温超导体”(HTS)和“低温超导体”(LTS)。LTS材料如Nb和NbTi是其超导性可以通过BCS理论描述的金属或金属合金。所有低温超导体都具有低于约30K的临界温度(在高于该温度时即使在零磁场中材料也不能是超导性的温度)。HTS材料的行为无法通过BCS理论描述，并且这样的材料可以具有高于约30K的临界温度(但是应当指出，是在超导运行和组成方面的物理差异定义了HTS材料，而不是临界温度)。最常用的HTS是基于铜酸盐(含有铜氧化物基团的化合物)如BSCCO(“铋锶钙铜氧化物”)或ReBCO(“稀土钡铜氧化物”，其中Re是稀土元素，通常为Y或Gd)的“铜酸盐超导体”陶瓷。其他HTS材料包括铁磷属化物(例如FeAs和FeSe)和二硼酸镁(magnesiumdiborate,MgB2)。ReBCO通常被制造为具有如在图1中所示的结构的带。这样的带500通常为大约100微米本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种在ReBCO带之间形成超导接头的方法，所述方法包括：/n提供两个以上各自具有暴露的ReBCO区域的ReBCO带；/n提供桥，所述桥包括暴露的ReBCO层和在所述暴露的ReBCO层上的透氧性衬垫；/n通过在其中氧的分压足够低以使得所述ReBCO的最低接合温度(T

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170825 GB 1713683.91.一种在ReBCO带之间形成超导接头的方法，所述方法包括：
提供两个以上各自具有暴露的ReBCO区域的ReBCO带；
提供桥，所述桥包括暴露的ReBCO层和在所述暴露的ReBCO层上的透氧性衬垫；
通过在其中氧的分压足够低以使得所述ReBCO的最低接合温度(TR)小于银的熔点(TAg)的环境中加热至第一温度(T1)而将每个暴露的ReBCO区域与所述桥的所述暴露的ReBCO层结合，所述温度(T1)在所述ReBCO的最低接合温度(TJ)和银的熔点(TAg)之间，(TJ<T1<TAg)；
在其中氧的分压足以使所述ReBCO在第二温度(T2)再氧合的环境中，将所得到的接头在所述第二温度(T2)退火一段时间(t)，所述第二温度(T2)小于低于ReBCO的正交晶系向四方晶系的相变温度(TR)(T2<TR)。


2.根据权利要求1所述的方法，其中所述暴露的ReBCO层是织构ReBCO层。


3.根据权利要求2所述的方法，其中提供所述桥包括：
提供具有基底、缓冲堆叠体、ReBCO层和银层的ReBCO带；
从所述ReBCO带移除所述基底和缓冲堆叠体。


4.根据任一项前述权利要求所述的方法，其中提供所述两个以上各自具有暴露的ReBCO区域的ReBCO带包括：对于所述ReBCO带中的至少一个来说，从所述ReBCO带化学移除银层，从而形成所述暴露的ReBCO区域。


5.一种在ReBCO带之间形成超导接头的方法，其中所述ReBCO带中的至少一个为包括ReBCO层的剥离型Re...

【专利技术属性】
技术研发人员：格雷格·布里特斯，
申请(专利权)人：托卡马克能量有限公司，
类型：发明
国别省市：英国;GB