【技术实现步骤摘要】
约瑟夫森结阵偏置组合计算方法、电子设备及介质
本专利技术涉及计量测试
,更具体地,涉及一种约瑟夫森结阵偏置组合计算方法、电子设备及介质。
技术介绍
约瑟夫森结是根据约瑟夫森效应设计制作的超导体量子器件,在一个芯片上制作数个到数万个串连在一起的约瑟夫森结,即构成了约瑟夫森结阵。在符合一定条件的微波辐射下,约瑟夫森结阵可以在直流偏置电流下产生电压。该电压具有极其稳定和准确的特性,因此约瑟夫森结阵可以被用作量子电压基准的关键部件。在一个芯片上将约瑟夫森结按照不同的结数划分为若干个子结阵,每个子结阵分别施以独立的电流偏置,即可用于实现可编程约瑟夫森电压基准。在约瑟夫森量子电压基准芯片的子结阵结数设计中,有基于二进制和三进制结数设计方式。因为约瑟夫森结的量子特性具有正偏、零偏、反偏三种状态,用三进制结数设计更利于发挥其效率。例如,用于产生分辨率在万分之一的电压,二进制结需要14个子结阵,而三机制仅需要10个子结阵。为了进一步在量子电压基准芯片工艺和操作效率之间取得平衡,在子结阵数量和最大子结阵结数之间取得平衡,应以三进制为基础的同时综合其他设计方法,并设计相应的偏置组合计算方法。例如,为减小个别子结阵无效时对生成电压影响或减小量化误差,可以将部分子结阵的结数设计为为特殊结数,以提高芯片的适应性。现有的约瑟夫森量子电压基准驱动装置中不能自动适应前述情况,在存在无效结阵的情况下产生的量化误差较大。若误差超过微波频率可调节范围,将造成驱动失败。因此,有必要开发一种约瑟夫森结阵偏置组合计算方法、电子设备及介质。< ...
【技术保护点】
1.一种约瑟夫森结阵偏置组合计算方法,其特征在于,包括:/n步骤1:计算所需的约瑟夫森结的总结数n;/n步骤2:针对芯片所包含的约瑟夫森子结阵按照结数进行分组,包括升序三进制T组、三进制冗余R组、量化误差补偿S组和剩余有效子结阵O组;/n步骤3:将总结数n分解为n
【技术特征摘要】
1.一种约瑟夫森结阵偏置组合计算方法,其特征在于,包括:
步骤1:计算所需的约瑟夫森结的总结数n;
步骤2:针对芯片所包含的约瑟夫森子结阵按照结数进行分组,包括升序三进制T组、三进制冗余R组、量化误差补偿S组和剩余有效子结阵O组;
步骤3:将总结数n分解为nTj和nOj两项之和,其中,分解方式为p种,nTj是小于T组子结阵结数之和的非负整数,nOj是用O组子结阵的偏置组合表示的非负整数;
步骤4:分别将p种分解方式中的nTj转换为通过T组和R组子结阵表示的p种偏置组合形式;
步骤5:通过S组的量化误差补偿数值分别补偿p种偏置组合形式产生的量化误差,获得补偿后剩余误差最小的偏置组合方式;
步骤6:将步骤5中的偏置组合方式按照原子结阵顺序进行排列。
2.根据权利要求1所述的约瑟夫森结阵偏置组合计算方法,其中,通过公式(1)计算所需的约瑟夫森结的总结数n:
其中,f为偏置微波频率,V为目标电压,KJ为Josephson常数,ROUND()符号表示圆整运算。
3.根据权利要求1所述的约瑟夫森结阵偏置组合计算方法,其中,所述步骤2包括:
步骤2-1:计算有效子结阵总结数N,判断n≥N是否成立,是则全部有效子结阵放入O组并结束步骤2,否则进入步骤2-2;
步骤2-2:从所有子结阵中查找并分离出结数符合nTi=nLSB·3i形式的t个子结阵,并按结数升序排列作为T组,判断T组中子结阵是否全部有效,是则进入步骤2-4,否则进入步骤2-3;
步骤2-3:在剩余的有效子结阵中,查找是否有结数等于nR=nT=nLSB·∑3i的子结阵,是则将其存入R组,否则继续查找差值等于nR的子结阵对,如查找到则将按结数升序排列存入R组,如未查找到则保持R组为空并进入步骤2-4;计算除T组和R组以外的有效子结阵总结数N1,判断是否n>N1+NT,是则将R组的所有子结阵移入O组,否则保留R组;
步骤2-4:在剩余的有效子结阵中,查找差值小于nLSB且互不相同的子结阵对,将找到的子结阵对涉及的子结阵存入S组;
步骤2-5:计算除T、R、S组外剩余有效子结阵的总结数N2,判断n>N2+NT是否成立,是则将S组和剩余子结阵全部移入O组,否则保留S组,剩余子结阵移入O组。
4.根据权利要求1所述的约瑟夫森结阵偏置组合计算方法,其中,所述步骤3包括:
步骤3-1:根据O组子结阵的结数再次划分小组,将结数相等的子结阵放入同一小组;
步骤3-2:计算各小组内偏置组合所能实现的等效结数,获得剩余子结阵组合结数表;
步骤3-3:从组合结数表中剔除负数项,按降序排列记为优化组合结数表;
步骤3-4:在优化组合结数表中查询符合n=nOj+nTj且-NT≤nTj≤NT的p个nOj,并计算对应的nTj=n-nOj。
5.根据权利要求1所述的约瑟夫森结阵偏置...
【专利技术属性】
技术研发人员:赵建亭,鲁云峰,富雅琼,钱璐帅,屈继峰,贺青,
申请(专利权)人:中国计量科学研究院,
类型:发明
国别省市:北京;11
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