深紫外LED光源及其封装方法技术

本发明专利技术属于LED封装工艺技术领域，具体涉及一种深紫外LED光源及其封装方法。该深紫外LED光源的封装方法包括如下步骤：提供基板，所述基板上设置有围坝和LED芯片，所述LED芯片位于所述围坝内；在所述围坝上涂布含磁性碳纳米管的混合胶粘剂，然后将透镜置于所述胶粘剂上施压，使所述混合胶粘剂在所述围坝和所述透镜之间形成混合胶粘剂层；在外加磁场下，对所述混合胶粘剂层进行固化处理形成粘接层，得到封装后的深紫外LED光源。该封装方法可以提高深紫外LED光源的稳定性和散热性，进而提高器件的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
深紫外LED光源及其封装方法
本专利技术属于LED封装工艺
，具体涉及一种深紫外LED光源及其封装方法。
技术介绍
深紫外LED(LightEmittingDiode，发光二极管)是杀菌消毒中的一把利器，具有高效、光谱、节能、环保等优点，是近年来市场关注的焦点。随着《水俣公约》的推进，采用第三代半导体AlGaN作为发光材料的深紫外LED将逐步取代汞灯，成为深紫外光源的主力光源。常见的深紫外LED灯珠采用带围坝的陶瓷基板作为支架，并使用石英透镜作为窗口，石英透镜与陶瓷基板的围坝间通过无机焊接或有机粘接完成气密性封装。但是，深紫外LED芯片的光电效率低，大量的输入功率转化为热量，在深紫外LED光源的运行过程中，灯珠整体温度比较高，对于封装材料的耐热性和导热性都提出了很高的要求。使用常规的有机硅胶作为有机粘接剂时，其导热性差，在长时间高温的作用下，粘接强度会迅速下降，导致气密性封装失效。在硅胶材料中，由于其独特的性质，可以加入部分填料，在对分子链影响很小的同时，又能通过填料的一些物理化学性质，对硅胶的特定性质进行改变。其中，加入本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种深紫外LED光源的封装方法，其特征在于，包括如下步骤：/n提供基板，所述基板上设置有围坝和LED芯片，所述LED芯片位于所述围坝内；/n在所述围坝上涂布含磁性碳纳米管的混合胶粘剂，然后将透镜置于所述胶粘剂上施压，使所述混合胶粘剂在所述围坝和所述透镜之间形成混合胶粘剂层；/n在外加磁场下，对所述混合胶粘剂层进行固化处理形成粘接层，得到封装后的深紫外LED光源。/n

【技术特征摘要】
1.一种深紫外LED光源的封装方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供基板，所述基板上设置有围坝和LED芯片，所述LED芯片位于所述围坝内；
在所述围坝上涂布含磁性碳纳米管的混合胶粘剂，然后将透镜置于所述胶粘剂上施压，使所述混合胶粘剂在所述围坝和所述透镜之间形成混合胶粘剂层；
在外加磁场下，对所述混合胶粘剂层进行固化处理形成粘接层，得到封装后的深紫外LED光源。


2.如权利要求1所述的深紫外LED光源的封装方法，其特征在于，所述磁性碳纳米管包括硅烷化的磁性多壁碳纳米管；和/或，
所述磁性碳纳米管中磁性颗粒的质量分数为1-5％。


3.如权利要求2所述的深紫外LED光源的封装方法，其特征在于，所述硅烷化的磁性多壁碳纳米管的制备方法包括：用芬顿试剂对磁性多壁碳纳米管进行氧化处理，然后与硅烷偶联剂混合，进行硅烷化处理。


4.如权利要求1所述的深紫外LED光源的封装方法，其特征在于，所述混合胶粘剂由所述磁性碳纳米管和AB硅胶组成，且所述磁性碳纳米管和所述AB硅胶的质量比为(0.5-2)：100。


5.如权利要求1所述的深紫外LED光源的封装方法，其特征在于，所述LED芯片的发射光峰值波长为250-300nm；和/或，
所述透镜在250-300...

【专利技术属性】
技术研发人员：黎学文，蔡济隆，陈冲，朱玉雪，田琪，杨玉娟，
申请(专利权)人：旭宇光电深圳股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44