一种双面晶体硅太阳电池及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种双面晶体硅太阳电池制备方法，先在硅片上制备硼掺杂面所需表面形貌，然后进行硼掺杂，利用硼掺杂过程表面生成的氧化层作为掩膜制备磷掺杂面所需表面形貌并进行磷掺杂；通过氢氟酸水上漂去除硅片边沿的氧化层；通过边沿抛光对硅片进行边沿隔离，利用硼掺杂面和磷掺杂面的氧化层作为掩膜保护硅片两面掺杂层不被破坏；最后在硅片两面制作钝化层和金属电极。进一步，本发明专利技术还公开一种通过这种方法制得的双面晶体硅太阳电池。该方法工艺过程简单，制作成本低，可以匹配不同类型的电池衬底和电池结构，并具有优良的边沿隔离效果，能大大降低双面晶体硅太阳电池的边沿漏电。

【技术实现步骤摘要】
一种双面晶体硅太阳电池及其制备方法
本专利技术属于晶体硅太阳电池制造
，具体涉及一种双面晶体硅太阳电池制备方法及通过这种方法制得的双面晶体硅太阳电池。
技术介绍
太阳能是一种绿色环保的能源，太阳电池利用光生伏特效应将太阳能转换为电能，已经成为未来最有前景的能源解决方式。晶体硅太阳电池因其原料来源广，制作成本低等优势成为太阳电池的主要技术方案之一。在晶体硅太阳电池中，双面电池在电池两面进行了不同类型的掺杂在电池两面形成内建电场，具有优秀的载流子收集能力，并且能够双面受光提升发电能力。但是双面晶体硅太阳电池相比单面晶体硅太阳电池由于需要在电池两面进行不同类型的掺杂，为了避免两种掺杂相互之间的干扰，往往需要在电池的一面使用额外的掩膜来对另外一面的掺杂进行阻挡，工艺相对繁琐，也增加了制备成本，并且双面晶体硅太阳电池边沿处同时存在不同类型的掺杂，会增加电池边沿处的漏电，降低电池的性能。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种双面晶体硅太阳电池制备方法，先在硅片上制备硼掺杂面所需表面形貌，然后进行硼掺杂，利用硼掺杂层表面生成的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种双面晶体硅太阳电池制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n提供一种硅片，选取硅片的一面作为硼掺杂面，另一面作为磷掺杂面；/n在硅片表面制备硼掺杂面所需表面形貌；/n在硼掺杂面上进行硼掺杂，制作硼掺杂层，并在硼掺杂层表面生长一层硼氧化层；/n通过氢氟酸水上漂的方法去除硼掺杂层制作过程中在磷掺杂面和边沿形成的绕扩硼氧化层；/n在磷掺杂面制备磷掺杂面所需表面形貌，同时去除硼掺杂层制作过程中在磷掺杂面和边沿形成的绕扩硼掺杂层，所述硼氧化层被部分刻蚀或厚度保持不变；/n在磷掺杂面上制作电池磷掺杂层，并在磷掺杂面表面生长一层磷氧化层；/n通过氢氟酸水上漂的方式去除磷掺杂层制作过程中在磷掺杂面的边沿...

【技术特征摘要】
1.一种双面晶体硅太阳电池制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一种硅片，选取硅片的一面作为硼掺杂面，另一面作为磷掺杂面；
在硅片表面制备硼掺杂面所需表面形貌；
在硼掺杂面上进行硼掺杂，制作硼掺杂层，并在硼掺杂层表面生长一层硼氧化层；
通过氢氟酸水上漂的方法去除硼掺杂层制作过程中在磷掺杂面和边沿形成的绕扩硼氧化层；
在磷掺杂面制备磷掺杂面所需表面形貌，同时去除硼掺杂层制作过程中在磷掺杂面和边沿形成的绕扩硼掺杂层，所述硼氧化层被部分刻蚀或厚度保持不变；
在磷掺杂面上制作电池磷掺杂层，并在磷掺杂面表面生长一层磷氧化层；
通过氢氟酸水上漂的方式去除磷掺杂层制作过程中在磷掺杂面的边沿形成的绕扩磷氧化层；
使用碱抛光的方式去除磷掺杂层制作过程中在磷掺杂面的边沿形成的绕扩磷掺杂层对硅片进行边沿隔离，并同时去除磷掺杂制作过程中在硼氧化层表面附着的磷元素，碱抛光后，硼氧化层和磷氧化层未被完全刻蚀；
通过氢氟酸清洗的方式去除硼掺杂面剩余的硼氧化层和磷掺杂面剩余的磷氧化层；
对硼掺杂面和磷掺杂面进行表面钝化；
在硼掺杂面和磷掺杂面制备金属电极。


2.如权利要求1所述的双面晶体硅太阳电池制备方法，其特征在于，在硼掺杂层表面生长的硼氧化层的厚度为30-300nm。


3.如权利要求1所述的双面晶体硅太阳电池制备方法，其特征在于，在磷掺杂层表面生长的磷氧化层的厚度较制备完磷掺杂面所需表面形貌后的硼氧化层的厚度薄至少5nm。


4.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈梦超，张梦葛，黄海冰，
申请(专利权)人：常州时创能源股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32