一种简便的用于改善铜锌锡硫硒薄膜光伏器件背接触的方法技术

本发明专利技术提供一种简便的用于改善铜锌锡硫硒薄膜光伏器件背接触的方法，属于光电器件制备技术领域。对镀Mo的钠钙玻璃表面进行紫外‑臭氧处理；在处理后的Mo玻璃表面通过溶液旋涂法制备铜锌锡硫或铜锌锡硒预制膜；对CZTS预制膜进行高温硒化或高温硫化处理得到CZTSSe薄膜。本发明专利技术中对镀Mo的钠钙玻璃表面进行适当的紫外‑臭氧处理，可在Mo玻璃表面原位形成超薄、致密、均匀的Mo的氧化层，可有效阻止Se与Mo及CZTSSe与Mo的直接接触，避免Mo玻璃过度硒化、及CZTSSe的相分解，从而降低器件串联电阻、减少界面电荷复合；有利于载流子传输；得到在Mo玻璃表面具有更强附着性的CZTS预制膜，有效减少CZTSSe/Mo玻璃界面的孔洞、起皮等现象。

【技术实现步骤摘要】
一种简便的用于改善铜锌锡硫硒薄膜光伏器件背接触的方法
本专利技术属于光电器件制备
，具体涉及一种改善铜锌锡硫硒(CZTSSe)薄膜光伏器件中CZTSSe/Mo玻璃背接触界面性能的方法。
技术介绍
锌黄锡矿结构铜锌锡硫硒(CZTSSe)材料由于其合适的能带结构和可调的带隙宽度(1～1.5eV)、很高的吸光系数(>104cm-1)、且其构成元素地球储量丰富、安全无毒、低成本等优点使其在光电领域尤其是光电化学和太阳能电池
有着很好的应用前景。CZTSSe太阳能电池与铜铟镓硒(CIGS)电池具有相似的组成结构，通常采用金属钼(Mo)作为背接触电极。但在实际研究及应用中，CZTSSe吸收层与Mo背电极的接触存在着诸多问题，直接影响着CZTSSe电池器件性能的进一步提升。首先，高温硒化(或硫化)处理过程中，Se(或S)与基底Mo会发生化学反应生成MoSe2(或MoS2)层，适当厚度的MoSe2(或MoS2)层会与CZTSSe吸收层间形成有利的欧姆接触，利于电池性能，但过厚的MoSe2(或MoS2)层则会增大器件串联电阻，阻碍载流子的传输，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种简便的用于改善铜锌锡硫硒薄膜光伏器件背接触的方法，其特征在于，包括下列步骤：/n1)对Mo衬底表面进行紫外-臭氧处理；/n2)在紫外-臭氧处理后的Mo玻璃表面利用传统的溶液旋涂法制备CZTS或CZTSe预制膜；/n3)对CZTS或CZTSe预制膜进行高温硒化或高温硫化处理得到CZTSSe薄膜。/n

【技术特征摘要】
1.一种简便的用于改善铜锌锡硫硒薄膜光伏器件背接触的方法，其特征在于，包括下列步骤：
1)对Mo衬底表面进行紫外-臭氧处理；
2)在紫外-臭氧处理后的Mo玻璃表面利用传统的溶液旋涂法制备CZTS或CZTSe预制膜；
3)对CZTS或CZTSe预制膜进行高温硒化或高温硫化处理得到CZTSSe薄膜。


2.根据权利要求1所述的一种简便的用于改善铜锌锡硫硒薄膜光伏器件背接触的方法，其特征在于：所述的CZTSSe薄膜是各种不同S/Se比的CZTSSe薄膜，包括CZTS薄膜和CZTSe薄膜。


3.根据权利要求1所述的一种简便的用于改善铜锌锡硫硒薄膜光伏器件背接触的方法，其特征在于：所述的紫外-臭氧处理过程包括紫外光照、臭氧气氛处理、以及紫外-臭氧相结合处理。


4.根据权利要求1或3所述的一种简便的用于改善铜锌锡硫硒薄膜光伏器件背接触的方法，其特征在于：所述的紫外-臭氧处理过程中紫外光照射光强为0～50mW/cm2。


5.根据权利要求1或3所述的一种简便的用于改善铜锌锡硫硒薄膜光伏器件背接触的方法，其特征在于：所述的紫外-臭氧处理过程中臭氧的浓度为0～1ppm。


6.根据权利要求1或3所述的一种简便的用于改善铜锌锡硫硒薄膜光伏器件背接触的方法，其特征在于：所述的紫外-臭氧处理过程中处理时间为1～40min。


7.根据权利要求1或3所述的一种简便的用于改善铜锌锡硫硒薄膜光伏器件背...

【专利技术属性】
技术研发人员：王玲玲，王少彤，王雁芹，张昕彤，刘益春，
申请(专利权)人：东北师范大学，
类型：发明
国别省市：吉林;22