用于生长氧化铝和氮化硅薄膜的平板式ALD和PECVD组合设备制造技术

本发明专利技术公开了一种用于生长氧化铝和氮化硅薄膜的平板式ALD和PECVD组合设备，包括硅片传输机构，硅片传输机构沿传输方向依次设有上料腔、用于在硅片上生长氧化铝薄膜的原子层沉积工艺腔、用于在硅片上生长氮化硅薄膜的化学气相沉积工艺腔、以及下料腔，所述原子层沉积工艺腔与所述化学气相沉积工艺腔之间设有过渡腔，相邻腔室之间均设有真空隔离阀。本发明专利技术具有结构紧凑、生产效率高、膜层质量好等优点。

【技术实现步骤摘要】
用于生长氧化铝和氮化硅薄膜的平板式ALD和PECVD组合设备
本专利技术涉及高效晶硅太阳能电池生产设备，尤其涉及一种用于生长氧化铝和氮化硅薄膜的平板式ALD和PECVD组合设备。
技术介绍
制备高效晶硅太阳能电池需要在硅片上生长Al2O3和Si3N4薄膜，Al2O3薄膜为极薄薄膜(可小于3nm)，而Si3N4薄膜为较厚薄膜(可大于150nm)。对于两种薄膜的制备，目前主要有两种方式：一种是采用2道工序，先在一台设备上完成Al2O3薄膜的制备，然后取出硅片送到另一台设备或同一台设备的另一个工位进行Si3N4薄膜的制备；另一种是在同一台设备上采用微波或射频CVD(化学气相沉积)方法分别沉积两种薄膜。第一种方式由于在两个工序或两台设备之间传送硅片时，要将硅片从真空环境的工艺腔体取出暴露在大气环境，容易造成污染，使得膜层质量发生变化，同时由于需要两台设备，占地面积大，所需作业人员多、硅片上下料机构多。第二种方式由于在同一台设备上用微波或射频CVD方法分别生长两种薄膜，虽然Si3N4薄膜的厚度可以满足要求，但是Al2O3薄膜无法做到极薄(几个纳米本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于生长氧化铝和氮化硅薄膜的平板式ALD和PECVD组合设备，其特征在于：包括硅片传输机构，硅片传输机构沿传输方向依次设有上料腔(1)、用于在硅片上生长氧化铝薄膜的原子层沉积工艺腔(2)、用于在硅片上生长氮化硅薄膜的化学气相沉积工艺腔(4)、以及下料腔(5)，所述原子层沉积工艺腔(2)与所述化学气相沉积工艺腔(4)之间设有过渡腔(3)，相邻腔室之间均设有真空隔离阀。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于生长氧化铝和氮化硅薄膜的平板式ALD和PECVD组合设备，其特征在于：包括硅片传输机构，硅片传输机构沿传输方向依次设有上料腔(1)、用于在硅片上生长氧化铝薄膜的原子层沉积工艺腔(2)、用于在硅片上生长氮化硅薄膜的化学气相沉积工艺腔(4)、以及下料腔(5)，所述原子层沉积工艺腔(2)与所述化学气相沉积工艺腔(4)之间设有过渡腔(3)，相邻腔室之间均设有真空隔离阀。


2.根据权利要求1所述的用于生长氧化铝和氮化硅薄膜的平板式AL...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈特超，张威，彭宜昌，唐电，杨彬，
申请(专利权)人：湖南红太阳光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南;43