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本发明公开了一种用于生长氧化铝和氮化硅薄膜的平板式ALD和PECVD组合设备，包括硅片传输机构，硅片传输机构沿传输方向依次设有上料腔、用于在硅片上生长氧化铝薄膜的原子层沉积工艺腔、用于在硅片上生长氮化硅薄膜的化学气相沉积工艺腔、以及下料腔，...
该专利属于湖南红太阳光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖南红太阳光电科技有限公司授权不得商用。

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