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本发明公开一种双面晶体硅太阳电池制备方法，先在硅片上制备硼掺杂面所需表面形貌，然后进行硼掺杂，利用硼掺杂过程表面生成的氧化层作为掩膜制备磷掺杂面所需表面形貌并进行磷掺杂；通过氢氟酸水上漂去除硅片边沿的氧化层；通过边沿抛光对硅片进行边沿隔离，...
该专利属于常州时创能源股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过常州时创能源股份有限公司授权不得商用。

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