【技术实现步骤摘要】
与双速存储器有关的设备和方法
本公开总体上涉及存储器装置,并且更具体地涉及用于双速存储器的设备和方法。
技术介绍
存储器装置通常以内部半导体集成电路的形式设置于计算机或其它电子装置中。存在许多不同类型的存储器,包含易失性存储器和非易失性存储器。易失性存储器可能需要电力来维护其数据,并且包含随机存取存储器(RAM)、动态随机存取存储器(DRAM)和同步动态随机存取存储器(SDRAM)等。非易失性存储器可以通过在断电时保留所存储的数据来提供持久数据,并且可以包含NAND闪存、NOR闪存、只读存储器(ROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)和电阻可变存储器(如相变随机存取存储器(PCRAM)、电阻式随机存取存储器(RRAM)和磁阻式随机存取存储器(MRAM)等)。存储器还用作各种电子应用的易失性数据存储区和非易失性数据存储区。非易失性存储器可以用于例如个人计算机、便携式记忆棒、数码相机、蜂窝电话、便携式音乐播放器(如MP3播放器)、电影播放器以及其它电子装置中。可以将存储器单元布置成阵列,其中所述阵列用于存储器装置中。存储器可以是计算装置中使用的存储器模块(例如,双列直插式存储器模块(DIMM))的一部分。存储器模块可以包含易失性存储器(例如,DRAM)和/或非易失性存储器(例如,闪存或RRAM)。DIMM可以用作计算系统中的主存储器。
技术实现思路
附图说明图1A是根据本公开的多个实施例的呈包含存储器系统的计算系统的形式的设备的框 ...
【技术保护点】
1.一种设备,其包括:/n第一数量的存储器装置(105-1,...,105-Z;221-1,...,221-16;321-1,...,321-8;421-1,...,421-16;和521-1,...,521-8),所述第一数量的存储器装置通过第一数量的端口(222-1,222-3,222-5,222-7,222-9,222-11,222-13,222-15;422-1,...,422-16)耦接到主机(102,202,302,402,502);以及/n第二数量的存储器装置(224-1,...,224-8;324-1,...,324-8;424-1,...,424-8;524-1,...,524-8),所述第二数量的存储器装置通过第二数量的端口(222-2,222-4,222-6,222-8,222-10,222-12,222-14,222-16;422-17,...,422-32)耦接到所述第一数量的存储器装置,其中所述第一数量的存储器装置(105-1,...,105-Z;221-1,...,221-16;321-1,...,321-8;421-1,...,421-16;和521-1 ...
【技术特征摘要】
20190301 US 16/289,8891.一种设备,其包括:
第一数量的存储器装置(105-1,...,105-Z;221-1,...,221-16;321-1,...,321-8;421-1,...,421-16;和521-1,...,521-8),所述第一数量的存储器装置通过第一数量的端口(222-1,222-3,222-5,222-7,222-9,222-11,222-13,222-15;422-1,...,422-16)耦接到主机(102,202,302,402,502);以及
第二数量的存储器装置(224-1,...,224-8;324-1,...,324-8;424-1,...,424-8;524-1,...,524-8),所述第二数量的存储器装置通过第二数量的端口(222-2,222-4,222-6,222-8,222-10,222-12,222-14,222-16;422-17,...,422-32)耦接到所述第一数量的存储器装置,其中所述第一数量的存储器装置(105-1,...,105-Z;221-1,...,221-16;321-1,...,321-8;421-1,...,421-16;和521-1,...,521-8)被配置成通过所述第一数量的端口(222-1,222-3,222-5,222-7,222-9,222-11,222-13,222-15;422-1,...,422-16)以第一时钟速度在所述第一数量的存储器装置(105-1,...,105-Z;221-1,...,221-16;321-1,...,321-8;421-1,...,421-16;和521-1,...,521-8)与所述主机(102,202,302,402,502)之间传送数据,并且所述第二数量的存储器装置(224-1,...,224-8;324-1,...,324-8;424-1,...,424-8;524-1,...,524-8)被配置成通过所述第二数量的端口(222-2,222-4,222-6,222-8,222-10,222-12,222-14,222-16;422-17,...,422-32)以第二时钟速度在所述第一数量的存储器装置(105-1,...,105-Z;221-1,...,221-16;321-1,...,321-8;421-1,...,421-16;和521-1,...,521-8)与所述第二数量的存储器装置(224-1,...,224-8;324-1,...,324-8;424-1,...,424-8;524-1,...,524-8)之间传送数据。
2.根据权利要求1所述的设备,其中所述第一数量的存储器装置(105-1,...,105-Z;221-1,...,221-16;321-1,...,321-8;421-1,...,421-16;和521-1,...,521-8)被配置成在所述第一数量的存储器装置(105-1,...,105-Z;221-1,...,221-16;321-1,...,321-8;421-1,...,421-16;和521-1,...,521-8)与所述主机(102,202,302,402,502)之间传送数据,而所述第二数量的存储器装置(224-1,...,224-8;324-1,...,324-8;424-1,...,424-8;524-1,...,524-8)被配置成在所述第一数量的存储器装置(105-1,...,105-Z;221-1,...,221-16;321-1,...,321-8;421-1,...,421-16;和521-1,...,521-8)与所述第二数量的存储器装置(224-1,...,224-8;324-1,...,324-8;424-1,...,424-8;524-1,...,524-8)之间传送数据。
3.根据权利要求1所述的设备,其中所述第二时钟速度是所述第一时钟速度的两倍。
4.根据权利要求1所述的设备,其中所述第一数量的存储器装置(105-1,...,105-Z;221-1,...,221-16;321-1,...,321-8;421-1,...,421-16;和521-1,...,521-8)被配置成通过将来自耦接到所述第一数量的存储器装置(105-1,...,105-Z;221-1,...,221-16;321-1,...,321-8;421-1,...,421-16;和521-1,...,521-8)和所述第二数量的存储器装置(224-1,...,224-8;324-1,...,324-8;424-1,...,424-8;524-1,...,524-8)的控制器(114,214,314,414-1,414-2,514-1,514-2)的状态信号发送到所述主机(102,202,302,402,502)来执行第一数量的命令。
5.根据权利要求1所述的设备,其中所述第一数量的存储器装置(105-1,...,105-Z;221-1,...,221-16;321-1,...,321-8;421-1,...,421-16;和521-1,...,521-8)被配置成响应于从耦接到所述第一数量的存储器装置(105-1,...,105-Z;221-1,...,221-16;321-1,...,321-8;421-1,...,421-16;和521-1,...,521-8)和所述第二数量的存储器装置(224-1,...,224-8;324-1,...,324-8;424-1,...,424-8;524-1,...,524-8)的控制器(114,214,314,414-1,414-2,514-1,514-2)发送到所述主机(102,202,302,402,502)的就绪/等待信号的变化而从所述主机(102,202,302,402,502)接收第一数量的命令。
6.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的设备,其中所述设备是非易失性双列直插式存储器模块NVDIMM,所述第一数量的存储器装置(105-1,...,105-Z;221-1,...,221-16;321-1,...,321-8;421-1,...,421-16;和521-1,...,521-8)是易失性存储器装置,并且所述第二数量的存储器装置(224-1,...,224-8;324-1,...,324-8;424-1,...,424-8;524-1,...,524-8)是非易失性存储器装置。
7.一种设备,其包括:
寄存器时钟驱动器RCD(217,317,417,517);
控制器(114,214,314,414-1,414-2,514-1,514-2),所述控制器耦接到所述RCD(217,317,417,517)并且被配置成通过所述RCD(217,317,417,517)从主机(102,202,302,402,502)接收命令;
第一数量的存储器装置(105-1,...,105-Z;221-1,...,221-16;321-1,...,321-8;421-1,...,421-16;和521-1,...,521-8),所述第一数量的存储器装置耦接到所述控制器(114,214,314,414-1,414-2,514-1,514-2);以及
第二数量的存储器装置(224-1,...,224-8;324-1,...,324-8;424-1,...,424-8;524-1,...,524-8),所述第二数量的存储器装置各自包括能够耦接到所述主机(102,202,302,402,502)的第一数据端口...
【专利技术属性】
技术研发人员:F·F·罗斯,M·A·布莱瑟,
申请(专利权)人:美光科技公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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