纳米图案的制备方法、纳米压印基板、显示基板技术

本申请提供一种纳米图案的制备方法、纳米压印基板、显示基板，以有效地解决由于段差的存在而导致的压印残胶厚度不均或者脱离的问题。该制备方法包括：S1：提供一基底，基底沿第一方向包括保护区域和非保护区域；S2：在基底上形成保护层，保护层位于保护区域；S3：形成压印胶层，并将压印胶层上的压印图案转移至压印胶层下方的结构层上；S4：去除压印胶层；其中，当保护层的厚度小于3倍的连接部的厚度时，在步骤S2中，保护层与非保护区域邻接的一端的厚度逐渐增加；当保护层的厚度大于或等于3倍的连接部的厚度时，在步骤S3之前，还包括在形成保护层后的结构上形成平坦层，在步骤S3中包括在形成平坦层后的结构上形成压印胶层。

【技术实现步骤摘要】
纳米图案的制备方法、纳米压印基板、显示基板
本申请涉及显示
，尤其涉及一种纳米图案的制备方法、纳米压印基板、显示基板。
技术介绍
纳米压印技术是一种光刻技术之外的重要薄膜图案化技术，主要包括热压印、紫外压印和微接触压印。其图案化原理可以描述为：在热或者紫外照射下将预先制备的有图案的模版压在压印胶上，再通过脱模、刻蚀多余胶、刻蚀和去胶等工艺，制备与模版互补的图案。在纳米压印工艺中，由于待压印的膜层根据设计要求需要具有或高或低的段差，为形成或高或低的段差，在进行图案化时，常常对一些区域进行保护，使另一些区域裸露出来，此时被保护的区域与未被保护的区域就会形成段差。因此，在被保护的区域与未被保护的区域的邻接位置经常出现压印残胶厚度不一样的问题，位于邻接位置的压印残胶的厚度要远大于位于非邻接位置(正常位置)的压印残胶的厚度，如此将会影响后续的干刻工艺，造成干刻后的图形形貌不一致，压印胶光栅图形能够在正常位置成功转移到下层图形，而在被保护的区域与未被保护的区域的邻接位置由于压印残胶太厚无法完成压印胶光栅的图形转移；不仅如此，如果位于邻接位置的压印残胶的厚度达到一定程度，还会直接导致压印后脱模时，压印残胶产生脱离，即基底上的压印胶丢失，粘附到模版上。
技术实现思路
本申请提供一种纳米图案的制备方法、纳米压印基板、显示基板，以有效地解决由于段差的存在而导致的压印残胶厚度不均或者脱离的问题。根据本申请实施例的第一方面，提供一种纳米图案的制备方法，包括以下步骤：S1：提供一基底，所述基底沿第一方向包括保护区域和非保护区域；S2：在所述基底上形成保护层，所述保护层位于保护区域；S3：形成压印胶层，并将所述压印胶层上沿所述第一方向依次重复排列的凸起部以及连接部所形成的压印图案转移至所述压印胶层下方的结构层上；S4：去除所述压印胶层；其中，当所述保护层的厚度小于3倍的所述连接部的厚度时，在步骤S2中，由靠近所述非保护区域至远离所述非保护区域方向，所述保护层与所述非保护区域邻接的一端的厚度逐渐增加；当所述保护层的厚度大于或等于3倍的所述连接部的厚度时，在步骤S3之前，还包括在形成所述保护层后的结构上形成平坦层，在步骤S3中包括在形成所述平坦层后的结构上形成压印胶层。可选的，当所述保护层的厚度小于3倍的所述连接部的厚度时，由靠近所述非保护区域至远离所述非保护区域方向，所述保护层与所述非保护区域邻接的一端形成有多个厚度呈依次递增的台阶。可选的，相邻的所述台阶之间的厚度差为10nm～20nm；和/或，每一所述台阶沿所述第一方向的长度均不小于300nm。可选的，当所述保护层的厚度小于3倍的所述连接部的厚度时，所述保护层与所述非保护区域邻接的一端的上表面为一斜面，且所述斜面由靠近所述非保护区域至远离所述非保护区域方向向远离所述基底方向斜向延伸。可选的，所述保护层与所述非保护区域邻接的一端的上表面与所述基底所在的平面形成一夹角，所述夹角为0.3度～1.0度。可选的，所述斜面沿所述第一方向的长度不小于300nm。可选的，当所述保护层的厚度小于3倍的所述连接部的厚度时，通过多次曝光或者单次半掩膜版曝光工艺实现所述保护层与所述非保护区域邻接的一端的厚度的逐渐增加；或者，通过在所述非保护区域的所述基底上、以及所述保护区域的所述保护层上形成初始保护层，并减薄所述初始平坦层形成所述保护层。可选的，当所述保护层的厚度大于或等于3倍的所述连接部的厚度时，在形成所述保护层后的结构上形成平坦层包括：所述平坦层形成于所述非保护区域的所述基底上、以及所述保护区域的所述保护层上，所述平坦层远离所述基底的一侧为一平面；或者，所述平坦层仅形成于所述非保护区域的所述基底上，且与所述保护层邻接，所述平坦层远离所述基底的一侧与所述保护层远离所述基底的一侧位于同一平面。可选的，当所述保护层的厚度大于或等于3倍的所述连接部的厚度时，且当所述平坦层位于所述非保护区域的所述基底上、以及所述保护区域的所述保护层上时，所述平坦层位于所述非保护区域的厚度为所述保护层的厚度的1.5倍～3倍。可选的，在形成所述保护层后的结构上形成平坦层中，包括：当所述平坦层形成于所述非保护区域的所述基底上、以及所述保护区域的所述保护层上时，通过两次曝光分别形成位于所述非保护区域的所述基底上的所述保护层、以及位于所述保护区域的所述保护层上的所述保护层，或者，通过单次半掩膜版曝光工艺同时形成所述非保护区域的所述基底上的所述保护层、以及位于所述保护区域的所述保护层上的所述保护层，或者，通过在所述非保护区域的所述基底上、以及所述保护区域的所述保护层上形成初始平坦层，并减薄所述初始平坦层形成所述平坦层；当所述平坦层仅形成于所述非保护区域的所述基底上，通过单次曝光形成所述平坦层，或者，通过在所述非保护区域的所述基底上、以及所述保护区域的所述保护层上形成初始平坦层，并减薄所述初始平坦层形成所述平坦层。可选的，所述保护层的材料为金属、氧化物、氮化物、金属氧化物、或者有机胶材；和/或，所述平坦层的材料为有机胶材。根据本申请实施例的第二方面，提供一种纳米压印基板，所述纳米压印基板采用如上所述的制备方法制作而成。根据本申请实施例的第三方面，提供一种显示基板，所述显示基板具有纳米图案，所述纳米图案采用如上所述的制备方法制作而成。上述实施例的纳米图案的制备方法、纳米压印基板、显示基板，当保护层的厚度为压印胶层的连接部的厚度的3倍以内时，通过设置保护层与非保护区域邻接的一端的厚度逐渐增加，能够使压印胶层从基底的上表面到保护层最厚处的上表面有一个逐渐过渡的过程，从而能够解决压印胶层位于不同区域厚度不均的问题；当保护层的厚度为压印胶层的连接部的厚度的3倍以及大于3倍时，通过设置保护层，以使压印胶层形成于一个平整的平面上，从而避免了压印胶层产生脱离。附图说明图1(a)-图1(d)是本申请的实施例1的纳米压印基板的制备方法的工艺流程图。图2是本申请的实施例1的纳米压印基板的局部截面结构示意图。图3是本申请的实施例1的纳米压印基板的另一实施方式的局部截面结构示意图。图4是本申请的实施例2的纳米压印基板的制备方法的工艺流程图。图5是本申请实施例2的纳米压印基板的局部截面结构示意图。图6(a)-图6(b)是本申请的实施例3的纳米压印基板的制备方法的工艺流程图。图7是本申请实施例3的纳米压印基板的局部截面结构示意图。图8(a)-图8(b)是本申请的实施例4的纳米压印基板的制备方法的工艺流程图。图9是本申请的实施例4的纳米压印基板的局部截面结构示意图。附图标记说明纳米压印基板1基底10保护区域10a非保护区域10b保护层20台阶21第一台阶211第二台阶212第三台阶213斜面22<本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种纳米图案的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS1：提供一基底，所述基底沿第一方向包括保护区域和非保护区域；/nS2：在所述基底上形成保护层，所述保护层位于保护区域；/nS3：形成压印胶层，并将所述压印胶层上沿所述第一方向依次重复排列的凸起部以及连接部所形成的压印图案转移至所述压印胶层下方的结构层上；/nS4：去除所述压印胶层；/n其中，当所述保护层的厚度小于3倍的所述连接部的厚度时，在步骤S2中，由靠近所述非保护区域至远离所述非保护区域方向，所述保护层与所述非保护区域邻接的一端的厚度逐渐增加；/n当所述保护层的厚度大于或等于3倍的所述连接部的厚度时，在步骤S3之前，还包括在形成所述保护层后的结构上形成平坦层，在步骤S3中包括在形成所述平坦层后的结构上形成压印胶层。/n

【技术特征摘要】
1.一种纳米图案的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：提供一基底，所述基底沿第一方向包括保护区域和非保护区域；
S2：在所述基底上形成保护层，所述保护层位于保护区域；
S3：形成压印胶层，并将所述压印胶层上沿所述第一方向依次重复排列的凸起部以及连接部所形成的压印图案转移至所述压印胶层下方的结构层上；
S4：去除所述压印胶层；
其中，当所述保护层的厚度小于3倍的所述连接部的厚度时，在步骤S2中，由靠近所述非保护区域至远离所述非保护区域方向，所述保护层与所述非保护区域邻接的一端的厚度逐渐增加；
当所述保护层的厚度大于或等于3倍的所述连接部的厚度时，在步骤S3之前，还包括在形成所述保护层后的结构上形成平坦层，在步骤S3中包括在形成所述平坦层后的结构上形成压印胶层。


2.如权利要求1所述的纳米图案的制备方法，其特征在于，当所述保护层的厚度小于3倍的所述连接部的厚度时，由靠近所述非保护区域至远离所述非保护区域方向，所述保护层与所述非保护区域邻接的一端形成有多个厚度依次递增的台阶。


3.如权利要求2所述的纳米图案的制备方法，其特征在于，相邻的所述台阶之间的厚度差为10nm～20nm；和/或，
每一所述台阶沿所述第一方向的长度均不小于300nm。


4.如权利要求1所述的纳米图案的制备方法，其特征在于，当所述保护层的厚度小于3倍的所述连接部的厚度时，所述保护层与所述非保护区域邻接的一端的上表面为一斜面，且所述斜面由靠近所述非保护区域至远离所述非保护区域方向向远离所述基底方向斜向延伸。


5.如权利要求4所述的纳米图案的制备方法，其特征在于，所述保护层与所述非保护区域邻接的一端的上表面与所述基底所在的平面形成一夹角，所述夹角为0.3度～1.0度。


6.如权利要求4所述的纳米图案的制备方法，其特征在于，所述斜面沿所述第一方向的长度不小于300nm。


7.如权利要求1所述的纳米图案的制备方法，其特征在于，当所述保护层的厚度小于3倍的所述连接部的厚度时，通过多次曝光或者单次半掩膜版曝光工艺实现所述保护层与所述非保护区域邻接的一端的厚度的逐渐增加；或者，通过在所述非保护区域的所述基底上、以及所述保护区...

【专利技术属性】
技术研发人员：张笑，周雪原，赵晋，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11