【技术实现步骤摘要】
一种掩膜版、制备半导体器件的方法和半导体器件
本公开属于半导体
，具体涉及一种掩膜版、制备半导体器件的方法和半导体器件。
技术介绍
在现有的半导体器件，如金凸块的工艺制程中，一般通过设计好的掩膜版，对涂覆在晶圆上的光刻胶层进行曝光和显影，获得开口的光刻胶层，之后向该开口内填充金属材料制作金凸块。如图1所示，为传统的掩膜版结构示意图，掩膜版100包括多个间隔设置的遮光区101以及透光区102，在图1中，最左侧的遮光区101左侧为空旷区(不存在其余的遮光区101)。这样，在利用该结构的掩膜版100对光刻胶层进行图形化时，一并结合图2和图3，在利用图1的掩膜版100对光刻胶层202进行曝光、显影以及后续的烘烤时，左侧第一个遮光区101对应的开口窗201尺寸受温度影响会出现变形，即受热向外扩张，其左侧边203向外扩张变形，掩膜版100其余遮光区101所形成的开口窗201尺寸基本一致。显然，在后续利用图形化后的光刻胶层202制备金凸块时，如图3所示和图4所示，在向各开口窗201内电镀形成金凸块204，并对其余光刻胶层20...
【技术保护点】
1.一种掩膜版，其特征在于，包括掩膜基板，所述掩膜基板沿其第一预定方向间隔设置有用以形成目标图形的多个第一区域以及环绕所述多个第一区域设置的第二区域，所述第一区域和所述第二区域中的一者为遮光区，所述第一区域和所述第二区域中的另一者为透光区；其中，/n所述多个第一区域中存在至少一个目标第一区域，所述目标第一区域的至少一侧满足在沿所述第一预定方向预设距离阈值内不存在其余所述第一区域，所述目标第一区域的所述至少一侧设置有收缩图形。/n
【技术特征摘要】
1.一种掩膜版，其特征在于，包括掩膜基板，所述掩膜基板沿其第一预定方向间隔设置有用以形成目标图形的多个第一区域以及环绕所述多个第一区域设置的第二区域，所述第一区域和所述第二区域中的一者为遮光区，所述第一区域和所述第二区域中的另一者为透光区；其中，
所述多个第一区域中存在至少一个目标第一区域，所述目标第一区域的至少一侧满足在沿所述第一预定方向预设距离阈值内不存在其余所述第一区域，所述目标第一区域的所述至少一侧设置有收缩图形。
2.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述目标第一区域包括沿所述第一预定方向相对间隔设置的第一边和第二边；其中，
所述收缩图形为自所述目标第一区域的所述第一边向所述第二边凹陷形成。
3.根据权利要求2所述的掩膜版，其特征在于，所述第一边为所述目标第一区域的长边。
4.根据权利要求2所述的掩膜版，其特征在于，在沿所述掩膜基板的第二预定方向上，所述收缩图形的凹陷深度先增大后减小，所述第二预定方向不同于所述第一预定方向。
5.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈运生，
申请(专利权)人：厦门通富微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35
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