片式压敏电阻陶瓷粉料、片式压敏电阻器制备方法及产品技术

本发明专利技术公开了一种片式压敏电阻陶瓷粉料、片式压敏电阻器制备方法及产品。所述片式压敏电阻陶瓷粉料的制备方法通过将Bi

【技术实现步骤摘要】
片式压敏电阻陶瓷粉料、片式压敏电阻器制备方法及产品
本专利技术涉及电阻材料
，尤其涉及一种片式压敏电阻陶瓷粉料、片式压敏电阻器制备方法及产品。
技术介绍
ZnO压敏电阻器常应用在电子产品电路中作为一种过压保护元件。随着电子产品的小型化、集成化，小尺寸的普通型多层片式压敏电阻器广泛应用于IC保护、CMOS、MOFET器件保护，以及汽车电子线路，I/O线路保护等领域。而普通型片式压敏电阻器因电压低、高压产品通流通量不能做高，仅适用于低压范围的小型电子产品。针对高压范围的小型电子产品，普遍采用插件类及大尺寸的片式压敏电阻5750、8063尺寸的高压高能规格产品。且由于市场上的电子产品电路多要求4532及以下尺寸、压敏电压达470V的片式压敏电阻作为过压保护元件，难以依靠现有的片式压敏电阻材料生产出兼得小尺寸与高性能的片式压敏电阻器。
技术实现思路
为克服现有技术的缺陷，本专利技术提供一种片式压敏电阻陶瓷粉料、片式压敏电阻器制备方法及产品，能够提供一种高电压梯度、高性能的陶瓷粉料，使得可依靠陶瓷粉料生产出兼得小尺寸与高性能的片式压敏电阻器，以适用高压范围的小型电子产品。为了解决上述技术问题，第一方面，本专利技术一实施例提供一种片式压敏电阻陶瓷粉料的制备方法，包括步骤：将由1.5mol％Bi2O3、1.0mol％Sb2O3、0.2mol％Ni2O3、3.5mol％ZnO组成的500g预合物放入装有1500gΦ7.5mm锆球的聚胺脂球磨罐中，加入500g去离子水,用转速320r/min的行星式球磨机湿磨8h，得到浆料；将得到的浆料放入烘箱中150℃烘干，用40目筛网过筛，得到粉料，并将得到的粉料放入箱式炉中850℃预烧3h，经球磨、干燥、过筛，得到预合粉料；向由97.5mol％ZnO、1.25mol％H3BO3、0.7mol％Co3O4、0.5mol％MnCO3、0.3mol％Cr2O3、0.1mol％Ni2O3、0.08mol％Y2O3、0.0005mol％Al(NO3)H2O组成的混合物中加入与混合物的质量比为5％的预合粉料，经球磨、干燥、过筛，得到陶瓷粉料。进一步地，所述片式压敏电阻陶瓷粉料的制备方法，还包括步骤：向由96.5mol％ZnO、1.25mol％H3BO3、1.0mol％Co3O4、0.85mol％MnCO3、0.3mol％Cr2O3、0.1mol％Ni2O3、0.08mol％Y2O3、0.0005mol％Al(NO3)H2O组成的混合物中加入与混合物的质量比为8％的预合粉料，经球磨、干燥、过筛，得到陶瓷粉料。进一步地，所述片式压敏电阻陶瓷粉料的制备方法，还包括步骤：向由95.2mol％ZnO、1.25mol％H3BO3、1.5mol％Co3O4、1.0mol％MnCO3、0.5mol％Cr2O3、0.5mol％Ni2O3、0.08mol％Y2O3、0.0005mol％Al(NO3)H2O组成的混合物中加入与混合物的质量比为8％的预合粉料，经球磨、干燥、过筛，得到陶瓷粉料。第二方面，本专利技术一实施例提供一种片式压敏电阻陶瓷粉料，包括以下组分及摩尔百分比含量：ZnO87.5～97.6mol％、Bi2O30.5～2.0mol％、Sb2O30.5～2.0mol％、H3BO30.5～2.5mol％、Co3O40.35～1.5mol％、MnCO30.5～1.0mol％、Cr2O30.1～0.5mol％、Ni2O30.1～0.5mol％、Y2O30.01～2.0mol％、Al(NO3)H2O0.0001～0.001mol％。第三方面，本专利技术一实施例提供一种片式压敏电阻器的制备方法，其特征在于，以如上所述的陶瓷粉料作为制备原料，包括步骤：向陶瓷粉料中加入PVB树脂、醋酸正丙脂、增塑剂、分散剂、无水乙醇，制成浆料，并将所得浆料通过干流法延成膜片；按设定尺寸在膜片上交替印刷内电极，并通过等水静水压将所得巴块层压致密，按设定尺寸切割成芯片；对芯片进行排胶后在920℃下烧结，并经倒角、玻璃层包封、封端、烧端、电镀，制成片式压敏电阻器。进一步地，所述设定尺寸包括4532尺寸。第四方面，本专利技术一实施例提供一种片式压敏电阻器，所述片式压敏电阻器是根据如上所述的片式压敏电阻器的制备方法制备得到。本专利技术的实施例，具有如下有益效果：通过将由1.5mol％Bi2O3、1.0mol％Sb2O3、0.2mol％Ni2O3、3.5mol％ZnO组成的500g预合物放入装有1500gΦ7.5mm锆球的聚胺脂球磨罐中，加入500g去离子水,用转速320r/min的行星式球磨机湿磨8h，得到浆料，进而将得到的浆料放入烘箱中150℃烘干，用40目筛网过筛，得到粉料，并将得到的粉料放入箱式炉中850℃预烧3h，经球磨、干燥、过筛，得到预合粉料，最后向由97.5mol％ZnO、1.25mol％H3BO3、0.7mol％Co3O4、0.5mol％MnCO3、0.3mol％Cr2O3、0.1mol％Ni2O3、0.08mol％Y2O3、0.0005mol％Al(NO3)H2O组成的混合物中加入与混合物的质量比为5％的预合粉料，经球磨、干燥、过筛，得到陶瓷粉料。相比于现有技术，本专利技术的实施例通过将Bi2O3、Sb2O3、Ni2O3及部分ZnO进行预烧，初步生成焦绿石晶相，以在向混合物中加入预合粉料后，利用焦绿石晶相有效抑制晶粒的过度生长，改善ZnO陶瓷结构的均匀性，实现改善压敏电阻特性，同时提高陶瓷粉料的电压梯度。本实施例能够提供一种高电压梯度、高性能的陶瓷粉料，使得可依靠陶瓷粉料生产出兼得小尺寸与高性能的片式压敏电阻器，以适用高压范围的小型电子产品。附图说明图1为本专利技术第一实施例中的一种片式压敏电阻陶瓷粉料的制备方法的流程示意图；图2为本专利技术第一实施例中的一优选实施例的流程示意图；图3为本专利技术第一实施例中的另一优选实施例的流程示意图；图4为本专利技术第三实施例中的一种片式压敏电阻器的制备方法的流程示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术中的附图，对本专利技术中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。需要说明的是，文中的步骤编号，仅为了方便具体实施例的解释，不作为限定步骤执行先后顺序的作用。请参阅图1-3。如图1所示，第一实施例提供一种片式压敏电阻陶瓷粉料的制备方法，包括步骤S01～S03：S01、将由1.5mol％Bi2O3、1.0mol％Sb2O3、0.2mol％Ni2O3、3.5mol％ZnO组成的500g预合物放入装有1500gΦ7.5mm锆球的聚胺脂球磨罐中，加入500g去离子水,用转速320r/min的行星式球磨机湿磨8h，得到浆料。S02、将得到的浆料放入烘箱中150℃烘干，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种片式压敏电阻陶瓷粉料的制备方法，其特征在于，包括步骤：/n将由1.5mol％Bi

【技术特征摘要】
1.一种片式压敏电阻陶瓷粉料的制备方法，其特征在于，包括步骤：
将由1.5mol％Bi2O3、1.0mol％Sb2O3、0.2mol％Ni2O3、3.5mol％ZnO组成的500g预合物放入装有1500gΦ7.5mm锆球的聚胺脂球磨罐中，加入500g去离子水,用转速320r/min的行星式球磨机湿磨8h，得到浆料；
将得到的浆料放入烘箱中150℃烘干，用40目筛网过筛，得到粉料，并将得到的粉料放入箱式炉中850℃预烧3h，经球磨、干燥、过筛，得到预合粉料；
向由97.5mol％ZnO、1.25mol％H3BO3、0.7mol％Co3O4、0.5mol％MnCO3、0.3mol％Cr2O3、0.1mol％Ni2O3、0.08mol％Y2O3、0.0005mol％Al(NO3)H2O组成的混合物中加入与混合物的质量比为5％的预合粉料，经球磨、干燥、过筛，得到陶瓷粉料。


2.如权利要求1所述的片式压敏电阻陶瓷粉料的制备方法，其特征在于，还包括步骤：
向由96.5mol％ZnO、1.25mol％H3BO3、1.0mol％Co3O4、0.85mol％MnCO3、0.3mol％Cr2O3、0.1mol％Ni2O3、0.08mol％Y2O3、0.0005mol％Al(NO3)H2O组成的混合物中加入与混合物的质量比为8％的预合粉料，经球磨、干燥、过筛，得到陶瓷粉料。


3.如权利要求1所述的片式压敏电阻陶瓷粉料的制备方法，其特征在于，还包括步骤：
向由95.2mol％ZnO、1.25mol％H3BO3、1.5mol％C...

【专利技术属性】
技术研发人员：岑权进，陈志华，李强，周庆波，
申请(专利权)人：广东风华高新科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44