一种兼容混频方向的电路布局制造技术

本实用新型专利技术公开了一种兼容混频方向的电路布局，包括电路腔体，电路腔体内设有十字型微波槽，十字型微波槽十字中心设有混频器芯片，混频器芯片一侧依次设有第一衰减器芯片与第一芯片电容，混频器芯片上下两端分别设有第二衰减器芯片与第三衰减器芯片，第二衰减器芯片上端一侧依次设有芯片滤波器、放大器芯片、第二芯片电容与第四衰减器芯片，第四衰减器芯片一侧为射频同轴电缆孔。本实用新型专利技术的有益效果：该设计是一个以裸芯片混频器为中心，上下左右呈十字形的布局方式，由于双平衡混频器部分情况下使用时，具备可以交换本振信号输入端口LO和射频信号输入端口RF的特性，减小了电路设计成本，实现了模块化的设计。

【技术实现步骤摘要】
一种兼容混频方向的电路布局
本技术涉及电路布局设计
，具体为一种兼容混频方向的电路布局。
技术介绍
混频器为三端口器件，分别为射频RF、本振LO和中频IF端，其中RF/IF端口可作为信号的输入或者输出端口，LO端口只用作输入。常见的混频器端口如图5所示，因此在电路设计中一般采用T字形布局。根据RF/IF信号的端口位置来确定混频器的摆放方向，如此便确定了LO端口的方向，外围电路和结构的设计会根据混频器三个端口的信号流向来进行设计，在射频微波电路的设计过程中，结构设计往往和电路设计一起确定，没有调整的空间。因此T字形布局的混频电路一般只针对单次设计，通用性较差。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种兼容混频方向的电路布局，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种兼容混频方向的电路布局，包括电路腔体，所述电路腔体内设有十字型微波槽，所述十字型微波槽十字中心设有混频器芯片，所述混频器芯片一侧依次设有第一衰减器芯片与第一芯片电容，所述混频器芯片上下两端分别设有第二衰减器芯片与第三衰减器芯本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种兼容混频方向的电路布局，包括电路腔体(1)，其特征在于：所述电路腔体(1)内设有十字型微波槽，所述十字型微波槽十字中心设有混频器芯片(2)，所述混频器芯片(2)一侧依次设有第一衰减器芯片(3)与第一芯片电容(4)，所述混频器芯片(2)上下两端分别设有第二衰减器芯片(5)与第三衰减器芯片(6)，所述第二衰减器芯片(5)上端一侧依次设有芯片滤波器(8)、放大器芯片(9)、第二芯片电容(10)与第四衰减器芯片(11)，所述混频器芯片(2)、第一衰减器芯片(3)、第一芯片电容(4)、第二衰减器芯片(5)、第三衰减器芯片(6)、芯片滤波器(8)、放大器芯片(9)、第二芯片电容(10)与第四衰减器...

【技术特征摘要】
1.一种兼容混频方向的电路布局，包括电路腔体(1)，其特征在于：所述电路腔体(1)内设有十字型微波槽，所述十字型微波槽十字中心设有混频器芯片(2)，所述混频器芯片(2)一侧依次设有第一衰减器芯片(3)与第一芯片电容(4)，所述混频器芯片(2)上下两端分别设有第二衰减器芯片(5)与第三衰减器芯片(6)，所述第二衰减器芯片(5)上端一侧依次设有芯片滤波器(8)、放大器芯片(9)、第二芯片电容(10)与第四衰减器芯片(11)，所述混频器芯片(2)、第一衰减器芯片(3)、第一芯片电容(4)、第二衰减器芯片(5)、第三衰减器芯片(6)、芯片滤波器(8)、放大器芯片(9)、第二芯片电容(10)与第四衰减器芯片(11)均设置在高频板材(7)上，所述第四衰减器芯片(11)一侧为射频同轴电缆孔(12)。


2.根据权利要求1所述的兼容混频方向的电路布局，其特征在于：所述十字型微波槽深度与宽度...

【专利技术属性】
技术研发人员：骆芃宇，李元元，
申请(专利权)人：成都嘉泰华力科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：四川;51