声表面波器件及其制备方法技术

本发明专利技术涉及声表面波器件制备方法以及由该制备方法制备而成的声表面波器件，该制备方法包括：在半导体基底上形成沟槽阵列；热退火使沟槽阵列变形后相互连通形成一空腔，且半导体基底在空腔上方连接起来，将空腔封闭；及在空腔上方的半导体基底上形成压电薄膜，并形成与压电薄膜连接的金属电极，压电薄膜包括压电材料。通过上述制备方法形成的声表面波器件，其半导体基底内部具有空腔，可以隔断压电薄膜激励出的体声波，避免接收端压电薄膜的寄生效应，提高声表面波器件的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
声表面波器件及其制备方法
本专利技术涉及半导体领域，特别是涉及一种声表面波器件及其制备方法。
技术介绍
声表面波器件是通过压电材料来进行电能与机械能之间的转换，可以硅片作为基底，在硅片上淀积压电薄膜形成信号收发结构，当向发射端的压电薄膜施加电信号时，压电薄膜由于压电效应将电信号转换为在硅表面传播的声表面波，该声表面波传播至接收端的压电薄膜时再次转换为电信号并输出。但是，发射端的压电薄膜接收到电信号后，除了能激励声表面波，还能激励体声波，体声波会在硅片内沿任意方向传播，因此，当体声波传播至接收端的压电薄膜后，会产生寄生响应，干扰接收端的压电薄膜对声表面波的相应。
技术实现思路
基于此，有必要针对上述声表面波器件的接收端容易受体声波的干扰的问题，提出一种声表面波器件制备方法及声表面波器件。一种声表面波器件制备方法，包括：在半导体基底上形成沟槽阵列；热退火使所述沟槽阵列变形后相互连通形成一空腔，且所述半导体基底在所述空腔上方连接起来，将所述空腔封闭；及在所述空腔上方的半导体基底上形成压电薄膜，并形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种声表面波器件制备方法，其特征在于，包括：/n在半导体基底上形成沟槽阵列；/n热退火使所述沟槽阵列变形后相互连通形成一空腔，且所述半导体基底在所述空腔上方连接起来，将所述空腔封闭；及/n在所述空腔上方的半导体基底上形成压电薄膜，并形成与所述压电薄膜连接的金属电极，所述压电薄膜包括压电材料。/n

【技术特征摘要】
1.一种声表面波器件制备方法，其特征在于，包括：
在半导体基底上形成沟槽阵列；
热退火使所述沟槽阵列变形后相互连通形成一空腔，且所述半导体基底在所述空腔上方连接起来，将所述空腔封闭；及
在所述空腔上方的半导体基底上形成压电薄膜，并形成与所述压电薄膜连接的金属电极，所述压电薄膜包括压电材料。


2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述沟槽的宽度范围为0.6μm～1μm，所述沟槽的深度范围为1μm～10μm，所述相邻沟槽之间的间隔范围为0.6μm～1μm。


3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述热退火为在氢气环境中热退火，所述热退火的温度为1000℃。


4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述沟槽阵列中最外围沟槽之间的间距大于中间沟槽的间距。


5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述空腔上方的半导体基底厚度范围为1μm～2μm。


6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，还包括：
对...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏佳乐，夏长奉，周国平，张新伟，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32