芯片封装结构及其制作方法技术

一种芯片封装结构，包括一第一防护层、一形成在所述第一防护层上的线路重置层、一与所述线路重置层电连接的芯片及一包覆所述线路重置层及所述芯片的封胶体，所述第一防护层包括一外露表面及与所述外露表面相连接的至少四个侧边，所述封胶体包括一封胶表面；所述封胶体还包覆所述第一防护层的至少四个侧边。本发明专利技术提供的芯片封装结构能够避免所述线路重置层及第一防护层被外力破坏，增强所述芯片封装结构的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
芯片封装结构及其制作方法
本专利技术涉及芯片封装领域，尤其涉及一种芯片封装结构及其制作方法。
技术介绍
随着集成电路的功能越来越强，集成度越来越高，封装技术在集成电路产品中扮演着越来越重要的角色，在整个电子系统的价值中所占的比例也越来越大。同时，随着集成电路特征尺寸达到纳米级，芯片向更高密度、更高时钟频率发展，封装也向更高密度的方向发展。由于扇出晶圆级封装(flow)技术具有小型化、低成本、高集成度及具有更好的性能和更高的能源效率等优点，因此，扇出晶圆级封装技术已成为高要求的移动/无线网络等电子设备的重要封装方法，是目前最具有发展前景的封装技术之一。然而，现有的芯片封装结构的封胶体仅包覆芯片的四周，重新布线层及防护层(常用的为polyimide，PI层)则裸露在所述封胶体外，使得所述封胶体的侧边与重新布线层及覆盖膜层的侧边之间出现高低差，从而导致所述重新布线层及覆盖膜层容易被外力破坏，造成所述芯片封装结构的可靠性变差。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种能够防止重新布线层及防护层被外力破坏、增强可靠性本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种芯片封装结构，包括一第一防护层、一形成在所述第一防护层上的线路重置层、一与所述线路重置层电连接的芯片及一包覆所述线路重置层及所述芯片的封胶体，所述第一防护层包括一外露表面及与所述外露表面相连接的至少四个侧边，所述封胶体包括一封胶表面；其特征在于，所述封胶体还包覆所述第一防护层的至少四个侧边。/n

【技术特征摘要】
1.一种芯片封装结构，包括一第一防护层、一形成在所述第一防护层上的线路重置层、一与所述线路重置层电连接的芯片及一包覆所述线路重置层及所述芯片的封胶体，所述第一防护层包括一外露表面及与所述外露表面相连接的至少四个侧边，所述封胶体包括一封胶表面；其特征在于，所述封胶体还包覆所述第一防护层的至少四个侧边。


2.如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第一防护层上形成有多个第一开口，部分所述线路重置层从所述第一开口内裸露出来，一个所述第一开口内形成有一个焊球，所述焊球与所述线路重置层电连接。


3.如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述芯片封装结构还包括一第二防护层，所述第二防护层形成在所述线路重置层上且包覆所述线路重置层，所述第二防护层上形成有多个第二开口，部分所述线路重置层从所述第二开口内裸露出来，所述第二开口内形成有电接触垫。


4.如权利要求3所述的芯片封装结构，其特征在于，每一个第二开口内形成有一个电接触垫，每一个所述芯片还形成有多个导电凸块，所述导电凸块固接在所述电接触垫上，一个所述导电凸块对应一个所述电接触垫。


5.如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第一防护层的外露表面与所述封胶体的封胶表面平齐。


6.如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述封胶体的材质为环氧塑封料。


7.一种芯片...

【专利技术属性】
技术研发人员：倪庆羽，呂香桦，刘扬伟，
申请(专利权)人：富泰华工业深圳有限公司，鸿海精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44